[实用新型]预润湿设备及预润湿系统有效
申请号: | 202020143732.7 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN211376599U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 史蒂文·贺·汪 | 申请(专利权)人: | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;罗洋 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 润湿 设备 系统 | ||
本实用新型公开了一种预润湿设备及预润湿系统,预润湿设备用于晶圆的预润湿,包括第一箱体,所述第一箱体的内部具有容置腔,所述容置腔用于通入预润湿液体,所述预润湿设备还包括夹持部,所述夹持部设置在所述容置腔的内部,所述夹持部用于卡持所述晶圆的外圆面,以使所述晶圆浸没于所述预润湿液体中。本实用新型利用设置在容置腔内的夹持部卡住晶圆,再向容置腔内充入预润湿液体,从而将晶圆浸没在预润湿液体中,进而使得晶圆的两个侧面都能被预润湿液体浸润。本实用新型的预润湿设备结构简单,一次即可实现晶圆的两个侧面的润湿,有利于提高晶圆的预润湿的预处理的效率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆制备领域,特别涉及一种预润湿设备及预润湿系统。
背景技术
在对晶圆电镀之前,通常需要对晶圆进行预湿润的预处理。预湿润有利于提高晶圆的电镀品质,对具有较大深宽比等特征的晶圆,比如晶圆具有TSV沟槽,预湿润提高晶圆电镀品质的效果更加明显。如果晶圆电镀前不进行预润湿的预处理,则在电镀过程中,由于电镀液的表面张力,电镀液与晶圆表面之间的固液界面极易形成气体气泡,从而引起晶圆的镀膜金属夹断(pinchoff),进而在晶圆的特征底部留下空隙而导致缺陷,诸如电路线被阻断等。
为了对晶圆进行预湿润的预处理,可以采用将晶圆平放在能够转动的支架上,并将该支架设置在真空室内,同时利用喷嘴将预湿润流体喷射到晶圆的上侧面,以实现晶圆的预湿润,在该预处理过程中,支架需保持转动状态,以带动晶圆转动。该专利的技术方案结构复杂、操作不便,且只能对晶圆的上侧面喷射预湿润流体,不利于晶圆的两侧面同时进行预湿润的预处理。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中晶圆的两侧面在预湿润的预处理中不能同时处理的缺陷,提供一种预润湿设备及预润湿系统。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题:一种预润湿设备,用于晶圆的预润湿,包括第一箱体,所述第一箱体的内部具有容置腔,所述容置腔用于通入预润湿液体,其特点在于,所述预润湿设备还包括夹持部,所述夹持部设置在所述容置腔的内部,所述夹持部用于卡持所述晶圆的外圆面,以使所述晶圆浸没于所述预润湿液体中。
在本实施例中,通过采用以上结构,利用设置在容置腔内的夹持部卡住晶圆,再向容置腔内充入预润湿液体,从而将晶圆浸没在预润湿液体中,进而使得晶圆的两个侧面都能被预润湿液体浸润。本方案的预润湿设备结构简单,一次即可实现晶圆的两个侧面的润湿,有利于提高晶圆的预润湿的预处理的效率。
另外,本方案的预润湿设备在晶圆的预润湿的预处理过程中不需要转动晶圆,避免了动力设备的使用,从而有利于提高预润湿液体在第一箱体内的稳定性,有利于提高晶圆的预润湿的处理效果,有利于提高预润湿设备的稳定性。
较佳地,所述夹持部具有卡槽,所述卡槽用于卡持所述晶圆的外圆面。
在本实施例中,通过采用以上结构,利用结构简单的卡槽卡持晶圆,在简化预润湿设备的同时,也有利于提高晶圆的稳定性。
较佳地,自所述卡槽的入口至所述卡槽的底部,所述卡槽的开口的宽度减小。
在本实施例中,通过采用以上结构,利用卡槽较宽的开口,有利于降低晶圆卡入卡槽的难度,利用卡槽较窄的底部,有利于提高卡持晶圆的稳固性。
较佳地,所述卡槽具有相对设置的第一面及第二面,所述第一面及所述第二面中至少一个设有沟槽。
在本实施例中,通过采用以上结构,利用设置在第一面、第二面的沟槽,在提高卡槽与晶圆之间摩擦力的同时,还有利于减少卡槽与晶圆的接触面积,使得预润湿液体能够通过沟槽接触晶圆,有利于提高晶圆的预润湿的处理效果。
较佳地,所述预润湿设备还包括防溅部,所述防溅部设置在所述容置腔的内部,所述防溅部具套设于所述晶圆的外部,以使至少部分所述晶圆的侧面被所述防溅部遮挡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造