[实用新型]掩模板防静电环和掩模板有效
| 申请号： | 202020152404.3 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN211603836U | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 许喆 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/40 | 分类号： | G03F1/40 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 静电 | ||
1.一种掩模板防静电环，其特征在于，包括环状本体，所述环状本体包围掩模板的透光区域，所述环状本体的宽度介于0.4毫米至1毫米之间；
所述环状本体包括第一边、第二边、第三边和第四边；
所述第一边和所述第二边平行且间隔设置，所述第三边和所述第四边平行且间隔设置，所述第一边和所述第二边均沿第一方向延伸，所述第三边和所述第四边均沿第二方向延伸，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边的宽度均相同。
2.根据权利要求1所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向的夹角为90度。
3.根据权利要求2所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述第一边的宽度为0.6毫米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述环状本体的拐角内侧均设置为钝角形状。
5.根据权利要求4所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述环状本体的每一拐角的钝角至少为两个。
6.根据权利要求1-3任一项所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述环状本体的拐角内侧均设置为圆弧形状。
7.根据权利要求6所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述圆弧形状的曲率半径为5纳米。
8.根据权利要求1所述的掩模板防静电环，其特征在于，所述掩模板具有铬膜，所述铬膜的厚度介于10纳米至150纳米。
9.一种掩模板，其特征在于，所述掩模板包括权利要求1-8任一项所述的掩模板防静电环。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
