[实用新型]掩模板防静电环和掩模板

说明书

本实用新型涉及一种掩模板防静电环和掩模板；具体的该掩模板防静电环包括：环状本体，所述环状本体包围掩模板的透光区域，所述环状本体的宽度介于0.4毫米至1毫米之间；所述环状本体包括第一边、第二边、第三边和第四边；所述第一边和所述第二边平行且间隔设置，所述第三边和所述第四边平行且间隔设置，所述第一边和所述第二边均沿第一方向延伸，所述第三边和所述第四边均沿第二方向延伸，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边的宽度均相同。上述掩模板防静电环通过改进环状本体的宽度，将环状本体的宽度调整至0.4毫米至1毫米之间，不仅能够有效的起到静电防护作用，还有效的避免了在曝光时在硅片上形成鬼影，保证了硅片进行光刻的成品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩模板防静电环和掩模板。

背景技术

在集成电路制造工艺中，掩模板上预先通过激光束或者电子束形成图形，请参照图1所示，再通过曝光的方式将掩模板上的图形10转移到硅片上。由于掩模板上的图像尺寸都是微米级的，易受到静电破坏，因此会在掩模板外围设置一个防静电环20，其中防静电环的宽度为3毫米。

然而，采用此种防静电环进行曝光时会有光从防静电环露出，并在硅片上形成鬼影破坏硅片上的图形。例如将此种防静电环应用在掩模板上并进行曝光，如图1所示将B区域的图形10通过曝光的方式在硅片上形成硅片图形10’(请参照图2a所示)；进一步通过在十倍光学显微镜下观察图硅片图形10’，如图2b所示能够发现硅片上会形成鬼影30，从而损坏了硅片图形导致其无法使用。由此可见，现有的防静电环虽然能够起到静电防护作用，但在曝光时会破坏硅片上的图形，影响掩模板曝光得到硅片产品的成品率，造成资源的浪费。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种掩模板防静电环和掩模板。

一种掩模板防静电环，包括环状本体1，所述环状本体包围掩模板的透光区域2，所述环状本体1的宽度介于0.4毫米至1毫米之间。

在其中一个实施例中，所述环状本体1包括第一边11、第二边12、第三边13和第四边14；

所述第一边11和所述第二边12平行且间隔设置，所述第三边13和所述第四边14平行且间隔设置，所述第一边11和所述第二边12均沿第一方向延伸，所述第三边13和所述第四边14均沿第二方向延伸，所述第一边 11、所述第二边12、所述第三边13和所述第四边14的宽度均相同。

在其中一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向的夹角为90度。

在其中一个实施例中，所述第一边11的宽度为0.6毫米。

在其中一个实施例中，所述环状本体的拐角内侧均设置为钝角形状。

在其中一个实施例中，所述环状本体的每一拐角的钝角至少为两个。

在其中一个实施例中，所述环状本体的拐角内侧均设置为圆弧形状。

在其中一个实施例中，所述圆弧形状的曲率半径为5纳米。

在其中一个实施例中，所述掩模板具有铬膜，所述铬膜的厚度介于10 纳米至150纳米。

一种掩模板，所述掩模板包括以上所述的掩模板静电环。

上述掩模板防静电环，通过改进环状本体的宽度，将环状本体的宽度调整至0.4毫米至1毫米之间，不仅能够有效的起到静电防护作用，还有效的避免了在曝光时在硅片上形成鬼影，保证了硅片进行光刻的成品率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。