[实用新型]一种用于半导体或光伏材料加工的装置

说明书

本实用新型提供一种用于半导体或光伏材料加工的装置，包括硅片载具和电极机构，所述电极机构包括电极组结构和电极座结构，所述电极座结构能够与所述电极组结构接通或断开，所述电极组结构设置在真空炉腔内，所述电极座结构设置在真空炉腔上部，所述硅片载具和所述电极组结构能够在所述真空炉腔内结合或者分离，所述硅片载具上设有镂空部位，能满足硅片双面加工的需求。采用了本实用新型的电极机构，能够使镀膜设备的结构和工艺都更加合理。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种用于半导体或光伏材料加工的装置。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，镀膜工艺、扩散工艺、氧化工艺是现有的一些处理方式。

真空炉作为半导体器件工艺设备的重要设备之一，广泛应用于集成电路、电力电子、太阳能电池的生产等行业，在光伏行业，高温真空炉主要用于对单晶硅片、多晶硅片进行掺杂，形成PN结。随着光伏行业的发展，人们一直在追求产能的提升。而在制作工艺过程中，会有许多热处理的工序，如热氧化、化学气相沉积(CVD)、热扩散、金属合金化、杂质激活、介质膜致密化等。这些热处理工艺对温度非常敏感，尤其是在半导体器件的制备中，温度是影响硅晶成膜均匀性及生长速度的关键参数。

在半导体或光伏材料加工方面，CVD技术是其中的一种处理方式，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，除了CVD设备之外还有扩散设备，例如磷扩散、硼扩散等采用气体扩散的方式来对原材料进行加工，目前行业内已有不少相关的设备，可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工，半导体或光伏材料的加工，通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现，在对半导体或者光伏材料加工的过程中，通常采用一些装置来装载或移动待加工的、加工中的或者加工后的材料，行业内通常把这种装载或者移动的装置称为舟、石墨舟、小舟或者花篮。

在太阳能光伏产业中，常采用PECVD制备薄膜如氮化硅膜，碳化硅膜，氧化硅膜等；传统的PECVD镀膜，通常都是单面镀膜，传统的生产设备容易造成绕镀，不能规避卡点印问题，对于膜的单面性要求很高时，传统设备不再适应。同时，对于超薄硅片容易造成生产过程中硅片变形，碎片率高等问题。

在加工反应的过程中，为了进行硅片的表面薄膜生长，需要让硅片处于一定条件的氛围中，例如等离子态，在这种情况下才能够满足薄膜生长的工艺条件，通常来说在石墨舟上会设置电极结构，例如，硅片载具本身带有电极结构，在生产的时候可以通电使得硅片载具附近气体处于等离子化的状态，但是由于石墨舟和硅片结构需要间隔设置，硅片需要卡在石墨舟片上的卡槽里，当向石墨舟片卡槽中进行插片时，容易损伤硅片或者电极片。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于半导体或光伏材料加工的装置，能够克服背景技术中的问题。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一种用于半导体或光伏材料加工的装置，包括硅片载具和电极机构，所述电极机构包括电极组结构和电极座结构，所述电极座结构能够与所述电极组结构接通或断开，所述电极组结构设置在真空炉腔内，所述电极座结构设置在真空炉腔上部，所述硅片载具和所述电极组结构能够在所述真空炉腔内结合或者分离，所述硅片载具能够在升降机构的带动下移动。

进一步地，所述硅片载具包括多个等间距排列的框架，框架内设有隔离支架，所述隔离支架将框架内的镂空部位隔离成至少两个镂空区域。

进一步地，所述框架的一侧设有安装部位，所述安装部位用于将硅片载具安装固定，所述安装部位上设有至少一个安装孔。

进一步地，还包括安装杆，所述安装杆与所述安装孔一一对应，所述框架通过安装孔套装在安装杆上，形成上下结构的硅片载具。