[实用新型]一种PECVD镀膜机有效
申请号: | 202020158313.0 | 申请日: | 2020-02-10 |
公开(公告)号: | CN213772207U | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 林佳继;刘群;张武;朱太荣;庞爱锁;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 | ||
本实用新型提供一种PECVD镀膜机,包括用于镀膜操作的真空炉腔,还包括硅片载具,硅片载具包括多个镂空载板,多个镂空载板上下排列且等间距均布,单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位;所述真空炉腔的上表面设有台板,台板上开设有入料口,入料口连通真空炉腔内部,入料口能够允许硅片载具上下移动从而进入或退出炉腔内部;所述真空炉腔的底部设有抽真空接口。本实用新型采用竖向送片和水平插片的方式,硅片和电极片的交替对插在真空炉腔内完成,对于镀膜过程来说,从插片到镀膜的过程,都可以进行氛围控制,有利于调整镀膜环境,提升镀膜质量。
技术领域
本实用新型涉及镀膜机,尤其涉及用于太阳能电池表面的钝化膜镀膜设备。
背景技术
等离子增强化学气相沉积系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
在太阳能光伏产业中,常采用PECVD制备减反射膜如氮化硅膜,碳化硅膜,氧化硅膜等;传统的PECVD镀膜,通常都是单面镀膜,对于膜的单面性要求很高,传统的生产设备容易造成绕镀,不能规避卡点印问题。同时,对于超薄硅片容易造成生产过程中硅片变形,碎片率高等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种PECVD镀膜机,能够克服背景技术中的问题。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是:
一种PECVD镀膜机,包括用于镀膜操作的真空炉腔,还包括硅片载具,硅片载具包括多个镂空载板,多个镂空载板上下排列且等间距均布,单个镂空载板上至少设有一个镂空部位和一个安装部位;
所述真空炉腔的上表面设有台板,台板上开设有入料口,入料口连通真空炉腔内部,入料口能够允许硅片载具上下移动从而进入或退出炉腔内部;所述真空炉腔的底部设有抽真空接口。
进一步地,所述安装部位固定在载板升降组件上,所述载板升降组件安装在所述真空炉腔的一侧,所述载板升降组件的下端固定连接有两根能够穿过所有镂空载板的安装部位上的安装孔的安装杆,两根安装杆的底端固定连接在最下层的镂空载板的安装部位上
进一步地,所述镂空载板包括方形框架和设置在方形框架中的十字形支架,所述十字形支架将所述方形框架围成的空间隔成四个等间距方形镂空区域。
进一步地,每个镂空区域内均设有卡点,卡点设置在每个镂空区域的边缘中部,且在镂空载板的厚度方向上靠近下底面布置。
进一步地,安装部位设置在方形框架其中一侧边的外侧中部,安装部位上设有两个安装孔,两个安装孔大小和形状一致,且沿方形框架的中心位置对称布置。
进一步地,所述载板升降组件包括第一升降驱动电机,所述第一升降驱动电机安装在升降驱动支架上,所述升降驱动支架可以假设在真空炉腔的上部,在所述升降驱动支架与所述真空炉腔的安装部位设有第一腔体焊接法兰,所述第一升降驱动电机连接并驱动载板升降驱动杆,所述载板升降驱动杆的最上端连接在第一动密封法兰上,所述载板升降驱动杆穿过第一腔体焊接法兰伸入到真空炉腔内,所述载板升降驱动杆的下端固定连接在最上层的镂空载板的安装部位上。
进一步地,所述镀膜机还包括载板升降模组,所述载板升降模组包括模组升降杆,模组升降杆的上端设有第二升降驱动电机,所述模组升降杆上沿其高度方向上设有升降滑轨,所述升降滑轨上安装有升降模组夹具,所述升降模组夹具分别位于升降滑轨的两侧,所述升降模组夹具能够分别通过连接块连接至升降驱动支架,并能够带动升降驱动支架上下移动从而使得所述载板升降组件上下移动,所述载板升降组件的上下移动可以带动镂空载板组向上离开真空炉腔或者向下进入真空炉腔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的