[实用新型]一种新型智能功率模块

权利要求书

1.一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，其特征在于，所述绝缘基板包括金属层、设置在所述金属层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的导电走线层，所述IC芯片设置在所述导电走线层上，所述引线框架设置在所述导电走线层上，所述功率芯片设置在所述引线框架上，其中所述引线框架包括间隔设置在所述导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，所述功率芯片包括设置在所述第一引线框架上的IGBT芯片和设置在所述第二引线框架上的FRD芯片。

2.根据权利要求1所述的新型智能功率模块，其特征在于，所述引线框架还包括设置在所述导电走线层上的第三引线框架，所述功率芯片还包括设置在所述第三引线框架上的MOS芯片。

3.根据权利要求2所述的新型智能功率模块，其特征在于，所述第一引线框架、所述第二引线框架和所述第三引线框架的厚度均大于或等于0.5毫米。

4.根据权利要求3所述的新型智能功率模块，其特征在于，还包括环氧树脂层，设置在所述金属层远离所述绝缘层的一侧面。

5.根据权利要求4所述的新型智能功率模块，其特征在于，所述金属层的厚度大于绝缘层的厚度，所述绝缘层的厚度大于所述导电走线层的厚度。

6.根据权利要求5所述的新型智能功率模块，其特征在于，所述导电走线层的厚度范围为0.035-0.2毫米。