[实用新型]一种新型智能功率模块

说明书

本实用新型公开了一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，绝缘基板包括金属层、设置在金属层上的绝缘层和设置在绝缘层上的导电走线层，IC芯片设置在导电走线层上，引线框架设置在导电走线层上，功率芯片设置在引线框架上，其中引线框架包括间隔设置在导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，功率芯片包括设置在第一引线框架上的IGBT芯片和设置在第二引线框架上的FRD芯片。通过上述方式，本实用新型所公开的新型智能功率模块的功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，且热容量大，以保证功率芯片的寿命。

技术领域

本实用新型涉及功率模块技术领域，特别涉及一种新型智能功率模块。

背景技术

目前，市面上的IPM模块(智能功率模块)集成IC芯片、IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片于一体，整体功能包含三相逆变及电路保护于一体，智能功率模块与早期的多器件分立方案相比具有体积小、电流密度高、保护功能完善、使用简单等优点。

然而，市面上的智能功率模块的横向热扩散性能差，热容量小，智能功率模块在瞬间开始工作的时候，功率芯片(如IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片)会产生较大的热量，会导致IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片的温度骤增而损坏功率芯片。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种新型智能功率模块，功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，热容量大，以保证功率芯片的寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，其特征在于，所述绝缘基板包括金属层、设置在所述金属层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的导电走线层，所述IC芯片设置在所述导电走线层上，所述引线框架设置在所述导电走线层上，所述功率芯片设置在所述引线框架上，其中所述引线框架包括间隔设置在所述导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，所述功率芯片包括设置在所述第一引线框架上的IGBT芯片和设置在所述第二引线框架上的FRD芯片。

进一步的，所述引线框架还包括设置在所述导电走线层上的第三引线框架，所述功率芯片还包括设置在所述第三引线框架上的MOS芯片。

进一步的，所述第一引线框架、所述第二引线框架和所述第三引线框架的厚度均大于或等于0.5毫米。

进一步的，还包括环氧树脂层，设置在所述金属层远离所述绝缘层的一侧面。

进一步的，所述金属层的厚度大于绝缘层的厚度，所述绝缘层的厚度大于所述导电走线层的厚度。

进一步的，所述导电走线层的厚度范围为0.035-0.2毫米。

本实用新型的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实用新型所公开的新型智能功率模块包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，绝缘基板包括金属层、设置在金属层上的绝缘层和设置在绝缘层上的导电走线层，IC芯片设置在导电走线层上，引线框架设置在导电走线层上，功率芯片设置在引线框架上，其中引线框架包括间隔设置在导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，功率芯片包括设置在第一引线框架上的IGBT芯片和设置在第二引线框架上的FRD芯片。通过上述方式，本实用新型所公开的新型智能功率模块的功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，热容量大，以保证功率芯片的寿命。

附图说明

图1是本实用新型的新型智能功率模块的正视结构示意图；

图2是本实用新型的新型智能功率模块的剖切结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1-2，该新型智能功率模块包括绝缘基板10、IC芯片11、功率芯片和引线框架。