[实用新型]一种薄膜铂电阻温度传感器

权利要求书

1.一种薄膜铂电阻温度传感器，还包括蓝宝石晶片、表面铂薄膜层、氧化铝膜层、隔离层、电阻引线；其特征在于，在所述的蓝宝石晶片的正面镀制表面铂薄膜层，并将所述的表面铂薄膜层制成铂电阻版图的立体结构，在所述的表面铂薄膜层上设置焊接点并在焊接点上焊接所述的电阻引线；在所述的表面铂薄膜层的上方覆盖氧化铝膜层；在氧化铝膜层以及焊接点的上方设置所述的隔离层。

2.如权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于，在所述的焊接点上施加铂浆并烧结，烧结后的铂层厚度5μm-10μm。

3.如权利要求2所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于，所述的薄膜铂电阻温度传感器的阻值在0℃-1000℃之间线性变化。

4.如权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于，所述的蓝宝石晶片的材料为单晶氧化铝材料，其纯度≥99.995％。