[实用新型]一种薄膜铂电阻温度传感器

说明书

本实用新型公开了一种薄膜铂电阻温度传感器，包括包括蓝宝石晶片、表面铂薄膜层、氧化铝膜层、隔离层、电阻引线；在蓝宝石晶片的正面镀制表面铂薄膜层，并将表面铂薄膜层制成铂电阻版图的立体结构，在表面铂薄膜层上设置焊接点并在焊接点上焊接电阻引线；在表面铂薄膜层的上方覆盖氧化铝膜层；在氧化铝膜层以及焊接点的上方设置隔离层；本实用新型的技术效果在于，薄膜铂电阻温度传感器与传统的陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件相比，可以降低生产成本，提高生产效率，减小了产品外形尺寸，测量时的响应时间短，产品的一致性有充分的保障。与同类薄膜电阻元件相比，可以大幅度提高测温范围，阻值精度高，具有更好的长期稳定性等优点。

技术领域

本实用新型涉及温度传感器尤其涉及薄膜铂电阻温度传感器。

背景技术

由于铂电阻温度传感器兼具热电偶和热敏电阻两种技术优点，而又克服了其缺点，为温度传感器领域的发展带来了新的契机。但是，由于最早开发应用的陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件的成本高，其实际应用仍然被限制。在现有技术中在测量850℃及850℃以上高温的薄膜铂电阻元件中一般都采用了陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件的形式，由于陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件在测量850℃及850℃以上高温的薄膜铂电阻元件的价格昂贵。

实用新型内容

本实用新型根据上述现有技术的不足之处，实现了一种薄膜铂电阻温度传感器，还包括蓝宝石晶片、表面铂薄膜层、氧化铝膜层、隔离层、电阻引线；其特征在于，在所述的蓝宝石晶片的正面镀制表面铂薄膜层，并将所述的表面铂薄膜层制成铂电阻版图的立体结构，在所述的表面铂薄膜层上设置焊接点并在焊接点上焊接所述的电阻引线；在所述的表面铂薄膜层的上方覆盖氧化铝膜层；在氧化铝膜层以及焊接点的上方设置所述的隔离层。

进一步，在所述的焊接点上施加铂浆并烧结，烧结后的铂层厚度5μm-10μm。

进一步，所述的薄膜铂电阻温度传感器的阻值在0℃-1000℃之间线性变化。

本实用新型的技术效果在于，本实施例中的薄膜铂电阻温度传感器，与传统的陶瓷铂电阻元件和厚膜铂电阻元件相比，减小了产品外形尺寸，测量时的响应时间短，产品的一致性有充分的保障。与国内厂商采用薄膜方法制备的同类薄膜电阻元件相比，采用本技术可以大幅度提高测温范围，阻值精度高，具有更好的长期稳定性，可以降低生产成本，提高生产效率等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型产品的制造流程图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

结合附图1所示，本实施例中公开了薄膜铂电阻温度传感器还包括蓝宝石晶片1、表面铂薄膜层2、氧化铝膜层3、隔离层4、电阻引线5；在蓝宝石晶片1的正面镀制表面铂薄膜层2，并将表面铂薄膜层2制成铂电阻版图的立体结构，在表面铂薄膜层2上设置焊接点51并在焊接点51上焊接电阻引线5；在表面铂薄膜层2的上方覆盖氧化铝膜层3；在氧化铝膜层3以及焊接点51的上方设置隔离层4。在本实施例中，在焊接点51上施加铂浆并烧结，烧结后的铂层厚度5μm-10μm。

本事实例中的薄膜铂电阻温度传感器的阻值在0℃-1000℃之间线性变化。本实施例中的蓝宝石晶片1的材料为单晶氧化铝材料纯度≥99.995％。

结合附图2所示，本实施例中的一种薄膜铂电阻温度传感器的制造方法，包括以下步骤：