[实用新型]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构有效

申请号：	202020179392.3	申请日：	2020-02-18
公开（公告）号：	CN211858584U	公开（公告）日：	2020-11-03
发明（设计）人：	苏晋苗;苏冠暐	申请（专利权）人：	北京芯之路企业管理中心（有限合伙）
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	北京中企讯专利代理事务所(普通合伙) 11677	代理人：	熊亮
地址：	100000 北京市大兴区经济技***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括表面布置有电路芯片或器件的晶圆，其特征在于：所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述小环形结构位于晶圆背面距离圆心四分之一半径处。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述的连接凸起设置有三个，三个连接凸起以120度夹角在大环形结构与小环形结构之间均匀分布形成三叉图形结构。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述大环形结构与小环形结构的宽度为3-5毫米。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述连接凸起的宽度为3-5毫米。

6.根据权利要求1所述的一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，其特征在于：所述的图形骨架结构厚度为250-800纳米。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯之路企业管理中心（有限合伙），未经北京芯之路企业管理中心（有限合伙）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020179392.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。