[实用新型]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构

说明书

本实用新型涉及电子技术领域，尤其是一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起，本实用新型的支撑结构可以实现较大直径与减薄的晶圆薄化制程需求。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体领域为一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构。

背景技术

随着集成电路技术的蓬勃发展，如今的制程工艺正在向着集成化与细微化发展，以便达到提升效能和降低成本等目的，其中TAIKO制程该制程仅研磨晶圆的中央部分故被称为太鼓(TAIKO)制程，据此制程晶圆之外缘环形周部边不被硏磨而保留原来之厚度，用以维持晶圆强度，防止于后续加工制程或搬运时之晶圆破损或翘曲，由于集成电路短小轻薄、功率器件的散热与损耗、传感器的精密度等需求，晶圆薄化厚度达到40微米，然而TAIKO技术在8吋以上的薄化制程要求晶圆厚度小于90微米时就无法胜任。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，以解决现有技术中晶圆薄化后结构强度低，使得晶圆容易破损或翘曲的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起。

优选的，所述小环形结构位于晶圆背面距离圆心四分之一半径处。

优选的，所述的连接凸起设置有三个，三个连接凸起以120度夹角在大环形结构与小环形结构之间均匀分布形成三叉图形结构。

优选的，所述大环形结构与小环形结构的宽度为3-5毫米。

优选的，所述连接凸起的宽度为3-5毫米。

优选的，所述的图形骨架结构厚度为250-800纳米。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型应用晶圆薄化制程在晶圆背面形成凸出的双环与三叉图形骨架结构，从而增强晶圆薄化后的支撑强度，降减晶圆破片损伤。利用本实用新型的技术方案可以实现较大直径的12吋或以上晶圆薄化制程，以及应用于薄化厚度达到40微米以下产品需求等益效，并最终达到了增加产能、提升良率的目的。

附图说明

图1为本实用新型的支撑结构骨架示意图；

图2为本实用新型的实施方式的方法步骤框图；

图中：10、晶圆背面；101、大环形结构；102、小环形结构；103、三叉图形结构；S1～S4、晶圆薄化制程支撑结构的方法步骤。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起。