[实用新型]一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块

权利要求书

1.一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，包括沿着竖直方向从上到下部分重叠设置的下桥芯片与上桥芯片，所述下桥芯片下表面的集电极与所述上桥芯片上表面的发射极互相连接。

2.根据权利要求1所述的功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，所述上桥芯片的面积大于所述下桥芯片的面积，且所述上桥芯片上表面的发射极的面积大于所述下桥芯片的面积。

3.根据权利要求1或2所述的功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，还包括第一焊盘，所述上桥芯片设置在所述第一焊盘上且所述第一焊盘的面积大于所述上桥芯片的面积。

4.根据权利要求3所述的功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，所述下桥芯片与所述上桥芯片之间以及所述上桥芯片与所述第一焊盘之间均通过能够导电的粘接材料进行粘接。

5.根据权利要求2所述的功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，所述下桥芯片上表面的发射极与所述上桥芯片上表面的发射极均通过焊线与驱动芯片连接。

6.根据权利要求1所述的功率模块上下桥芯片叠层布局结构，其特征在于，所述下桥芯片与所述上桥芯片均为金属氧化物半导体场效晶体管芯片或绝缘栅双极型晶体管芯片。

7.一种功率模块，其特征在于，其包括如权利要求1至6中任一项所述的上下桥芯片叠层布局结构。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，还包括驱动芯片与第二焊盘，所述驱动芯片通过能够导电的粘接材料设置于所述第二焊盘上。

9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，还包括塑封结构，所述塑封结构由塑封材料整体覆盖在下桥芯片、上桥芯片、第一焊盘、所述驱动芯片、所述第二焊盘的上方及四周而形成。