[实用新型]一种大功率LED散热器

说明书

本实用新型公开了一种大功率LED散热器，包括绝缘外壳、LED芯片和铜制框架，绝缘外壳内封装LED芯片，LED芯片通过低碳钢焊层A焊接铜制框架，铜制框架通过低碳钢焊层B焊接绝缘外壳底面；低碳钢焊层B底面设有陶瓷基板，陶瓷基板焊接银铜合金导热层A，银铜合金导热层A和低碳钢焊层B焊接，陶瓷基板底面焊接银铜合金导热层B，银铜合金导热层B底面焊接低碳钢焊层C；低碳钢焊层C底面设有散热器，散热器底面等距离分布若干散热翅片；本实用新型大大增强了LED的散热性能，最终实现LED芯片的散热。

技术领域

本实用新型涉及LED领域，特别是涉及一种大功率LED散热器。

背景技术

大功率LED器件在使用过程中，其散热效果好坏，往往决定了功率器件的输出能力。目前，考虑到散热等因素，功率器件普遍采用分立形式，可称为功率半导体分立器件。功率半导体分立器件由于其封装形式，底部的铜框架是带电的，因此在与散热器连接时，除了考虑散热问题，还需要考虑绝缘问题。功率半导体分立器件在装配时，常常使用陶瓷基板加硅脂的方法。但是此种方工艺复杂，并且，由于硅脂导热系数在2-8KW/(m·℃)左右，越来越不能满足现在功率器件的散热需求。此外，LED器件在设计散热时，未充分考虑铜框架面积对散热的要求，且未考虑LED器件上下端均可以实现散热设计，并且散热翅片的散热也为考虑如何通过形状结构的变化来增加散热功能。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种大功率LED散热器，能解决背景技术中存在的技术缺陷。

为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种大功率LED散热器，包括绝缘外壳、LED芯片和铜制框架，所述绝缘外壳内封装有LED芯片，所述LED芯片底面通过低碳钢焊层A焊接铜制框架，所述铜制框架底面通过低碳钢焊层B焊接绝缘外壳底面，且所述低碳钢焊层B露出于绝缘外壳底面开口；所述低碳钢焊层B底面设有陶瓷基板，所述陶瓷基板顶面焊接银铜合金导热层A，且所述银铜合金导热层A和低碳钢焊层B焊接，所述陶瓷基板底面焊接银铜合金导热层B，且所述银铜合金导热层B底面焊接低碳钢焊层C；所述低碳钢焊层C底面设有散热器，所述散热器底面等距离分布若干散热翅片；所述LED芯片顶面等距离分布若干导热铜片，所述导热铜片顶端粘结硅胶片，所述硅胶片和绝缘外壳内顶面连接，且所述绝缘外壳内顶面和硅胶片接触位置均开设有散热孔；所述铜制框架外表面等距离设有若干折弯面A，所述折弯面A上均匀压制若干半球凹槽A；所述散热翅片沿轴向设有若干折弯面B，所述折弯面B上均匀压制若干半球凹槽B。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述低碳钢焊层A、低碳钢焊层B和低碳钢焊层C的均为碳含量低于0.25％的碳素钢板式片状层。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述银铜合金导热层A和银铜合金导热层B底面面积相等。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述陶瓷基板底面面积大于银铜合金导热层A和银铜合金导热层B底面面积。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述低碳钢焊层B和低碳钢焊层C底面面积一致，且均大于低碳钢A底面面积。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述半球凹槽A和半球凹槽B的直径小于等于0.2mm；所述陶瓷基板宽度小于等于1mm。

与现有技术相比，本实用新型能达到的有益效果是：本实用新型通过在LED芯片顶面增加易于散热的导热铜片和硅胶片，并将热量从绝缘外壳顶面的散热孔散热，大大增强了本实用新型的散热性能；通过在LED芯片的铜制框架和散热翅片增加折弯面和半球凹槽，大大增加了导热介质的散热面积，进而增加了散热性能，最终实现LED芯片的散热。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图；

图2是本实用新型所述铜制框架俯视结构示意图；

图3是本实用新型所述散热翅片俯视结构示意图；