[实用新型]一种外延生长设备的反应室结构

说明书

本实用新型公开了一种外延生长设备的反应室结构，包括：石英管、感应加热装置、反应腔室组件、分气组件、抽气组件，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端。本实用新型通过增加分机组件，改进了反应腔体结构，完成了两台设备的产能，极大的降低了成本，节省了大部分洁净室空间，控制保护气体与反应气体的流量，减少反应气体从反应室内流出的速率，提高了气体利用率。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种外延生长设备的反应室结构。

背景技术

目前随着技术的发展，化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，简称为CVD)技术已经得到越来越多的应用。

碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si-C的四面体结构，属于密堆积结构。其性能具有更高的禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能，在半导体照明、电力电子器件、激光器、探测器等领域应用中蕴含着巨大的前景。

目前，在碳化硅材料的制作工艺上，存在非常多的难点，生长高质量的外延片更是对设备及工艺要求的一种挑战，设备的温场均匀性，反应室内的压力控制，及气体的流量等主要参数，对碳化硅的生长质量起决定性作用。由于这几种参数的控制较为困难，碳化硅外延片的成品良率并不理想。在当前的技术水平下无法进一步的提高良率，并切每次工艺时间较长，因此，需要在当前工艺条件的前提下进一步提高反应室的产能来提高设备效率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种通过增加分机组件，改进反应腔体内部结构，极大的提高产能并降低了成本，提高了气体利用率的外延生长设备的反应室结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：

一种外延生长设备的反应室结构，包括：

石英管，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述第一圆筒与所述石英管贯穿连接；

感应加热装置，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部；

反应腔室组件，所述反应腔室组件为两个，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，两个所述反应腔室组件对称设置在所述第一圆筒的两侧；

分气组件，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接；

抽气组件，所述抽气组件为两个，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端，两个所述抽气组件分别与所述反应腔室组件活动连接。

优选地，所述抽气组件包括端板及与所述端板连接的气管，所述端板半嵌入设置在所述石英管的端部，所述端板与所述石英管相匹配，所述端板上设有传片通道孔、第一进气孔、第二进气孔，所述第一进气孔、第二进气孔分别位于在所述传片通道孔的上部和下部，所述第一进气孔、第二进气孔分别与所述气管贯穿连接。

优选地，所述传片通道孔为矩形孔，所述传片通道孔水平贯穿所述端板设置。

优选地，所述分气组件为截面是工字形的结构体，所述分气组件包括第一分气板、连接板、第二分气板，所述连接板垂直设置在所述第一分气板、第二分气板的中部。