[实用新型]具散热功率控制器有效
申请号: | 202020208408.9 | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN211607193U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 钟承兆 | 申请(专利权)人: | 大成电机股份有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热 功率 控制器 | ||
本实用新型提供一种具散热功率控制器,包括控制基板、复数个功率元件以及至少一散热基板。复数个功率元件间隔设置于控制基板上,且此些功率元件系以通孔插装技术或是表面粘着技术与控制基板形成电性连接,散热基板系覆盖于控制基板上,且此些功率元件位于控制基板与散热基板之间,凭借散热基板将此些功率元件于运作时所产生的热能迅速带离,以维持此些功率元件正常运作温度。
技术领域
本实用新型涉及一种具散热功率控制器,尤指具有散热功能的功率控制器的技术领域。
背景技术
功率元件种类繁多,几乎用于所有的电子制造业,应用范围已经从传统的工业控制和4C产业,扩展到新能源、轨道交通、智慧电网等新领域,不论民生、交通、工业,举凡电力应用,均与的息息相关。
就应用于电路板上的功率元件,会因电路设计复杂度与功率元件的使用数量增加,而使运作时所产生的热能累积问题相对严重,当内部电路的工作运作温度过高,容易使电子元件受损,进而严重影响功能运作或是大幅降低产品效能。目前除了针对功率元件特性进行改良,例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)和金刚石等新型宽能隙(WideBand Gap)的材料开发的功率元件,利用此些材料具有耐高压、高温及高操作等特性来解决热管理的问题。尤其是SiC和GaN具有较高的电子迁移率使得能够实现更快的切换,因为接合处累积的电荷通常可以更快地释放,达到更少的热量生成效果。然而,对于大量的功率元件同时运作时所产生的热,还是无法有效解决大量累积于电路板上的热能,不仅会烧毁或缩短内部电路寿命,更甚者会使产品功能失效。
是以,要如何解决上述现有技术的问题与缺失,即为相关业者所亟欲研发的课题所在。
实用新型内容
本实用新型的主要目的乃在于,其利用大面积的散热基板将功率元件运作时所产生的积热能快速且有效的导出散除。
本实用新型的次要目的乃在于,整体结构简单、组装简易且制作成本低,极具有市场竞争优势。
为达上述目的,本实用新型提供一种具散热功率控制器,其特征在于,包括:
一控制基板;
复数个功率元件,间隔设置于该控制基板上,且该复数个功率元件与该控制基板电性连接;以及
至少一散热基板,覆盖于该控制基板上,且该复数个功率元件位于该控制基板与该散热基板之间。
所述的具散热功率控制器,其中:该功率元件是以通孔插装技术或表面粘着技术电性连接于该控制基板上。
所述的具散热功率控制器,其中:该控制基板的中心位置还具有一开孔,该复数个功率元件间隔围绕设置于该开孔的周边。
所述的具散热功率控制器,其中:该散热基板的数量为二,并且分别设置于该控制基板的相对两侧面。
所述的具散热功率控制器,其中:该散热基板是铝基板、铝合金基板、铜基板或陶瓷基板。
所述的具散热功率控制器,其中:该散热基板的面积大于该控制基板,该散热基板覆盖于该控制基板上。
所述的具散热功率控制器,其中:该散热基板还包括复数个孔洞。
所述的具散热功率控制器,其中:该控制基板是控制电路板。
所述的具散热功率控制器,其中:该功率元件是电晶体。
所述的具散热功率控制器,其中:该电晶体是金属氧化物半导体场效电晶体。
综上所述,本实用新型利用大面积的散热基板将功率元件运作时所产生的积热能快速且有效的导出散除,且散热基板的厚度可设计的更轻薄化并搭配具有良好散热特性材质,不仅组装简单且成本低,更能广泛应用于各种功率型的控制基板上,极具有市场竞争优势。
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