[实用新型]一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路有效

专利信息
申请号: 202020209848.6 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN211151842U 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 王星光 申请(专利权)人: 福建捷联电子有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 350000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 flyback 同步 整流 控制电路 可靠性 电路
【权利要求书】:

1.一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,电源连接同步整流MOSFET的漏极,同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端,电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端,同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端,同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端,其特征在于:电路包括二极管、三极管,二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极;二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端,第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连,三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。

2.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:同步整流控制IC的型号为MF6908。

3.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:同步整流MOSFET采用的型号为MTE011N10RFP-0-UB-S。

4.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:第一电阻采用1%的2Ω电阻,第二电阻采用100Ω的电阻,第三电阻采用1/8W的100KΩ电阻。

5. 根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:第一电容采用50V 0.47μF的电容。

6.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:二极管的型号为SCS0520P。

7.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:三极管为PNP三极管。

8.根据权利要求7所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:三极管的型号为MMBT3905。

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