[实用新型]一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路

说明书

本实用新型公开一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，利用三极管和同步整流控制IC的驱动输出端内建的10K下拉电阻组成一个模块电路，三极管的发射极连接在同步整流MOSFET的栅极的驱动电阻端即第一电阻以及三极管的集电极连接及同步整流MOSFET的源极，进而起到在同步整流控制IC未工作时，将同步整流控制IC的GS端电压拉低。从而避免同步整流控制IC关断时Vds在GS极间的分压超过Vgs(th)而引起的误触发动作。本实用新型克服了Flyback电路开机时，输出电压还未建立，同步整流控制IC供电电压未达到开启门限电压时，同步整流受控MOSFET处于失控状态的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。

背景技术

如图1所示，目前Flyback拓扑结构二次侧的同步整流控制IC,栅极驱动输出端一般采用Push-pull结构，且在输出端对地集成10KΩ～100KΩ电阻。在开机时，Flyback二次侧输出电压还没建立，同步整流控制IC的Vdd未达到开启的门限电压，此时同步整流控制IC之栅极驱动端对地只有10KΩ，相当于受控MOSFET的GS端外接10KΩ电阻。而受控MOSFET在关断时，Vds上升，此Vds电压经MOSFET内在的Crss，Ciss及驱动IC驱动引脚对地的10KΩ电阻分压，会在GS端产生电压Vgs，如果此Vgs电压过大超过MOSFET的Vgs(th),将造成二次侧受控MOSFET误导通，从而初次级MOSFET同时导通，影响同步整流控制回路的可靠性。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。

本实用新型采用的技术方案是：

一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，电源连接同步整流MOSFET的漏极，同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端，电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端，同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端，同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端，电路包括二极管、三极管，二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极；二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连，三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。

进一步地，同步整流控制IC的型号为MF6908。

进一步地，同步整流MOSFET采用的型号为MTE011N10RFP-0-UB-S。

进一步地，第一电阻采用1%的2Ω电阻。

进一步地，第二电阻采用100Ω的电阻。

进一步地，第三电阻采用1/8W的100KΩ电阻。

进一步地，第一电容采用50V 0.47μF的电容。

进一步地，二极管的型号为SCS0520P。

进一步地，三极管为PNP三极管。

进一步地，三极管的型号为MMBT3905。

本实用新型采用以上技术方案，利用三极管和同步整流控制IC 的驱动输出端内建的10K下拉电阻组成一个模块电路，三极管的发射极连接在同步整流MOSFET的栅极的驱动电阻端即第一电阻以及三极管的集电极连接及同步整流MOSFET的源极，进而起到在同步整流控制IC未工作时，将同步整流控制IC的GS端电压拉低。从而避免同步整流控制IC关断时Vds在GS极间的分压超过Vgs(th)而引起的误触发动作。本实用新型克服了Flyback电路开机时，输出电压还未建立，同步整流控制IC供电电压未达到开启门限电压时，同步整流受控MOSFET处于失控状态的问题。

附图说明