[实用新型]一种功率半导体器件管壳

权利要求书

1.一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，其特征在于，

所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；

所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上还设置有多个凹槽，所述多个凹槽包括一个圆形凹槽与多个圆环形凹槽，其中，

所述圆形凹槽设置在所述阴极底座的中心；

所述多个圆环形凹槽围绕所述圆形凹槽沿所述阴极底座表面由内向外依次设置。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，

所述多个第一沟槽的宽度、长度、深度均一致；

所述圆形凹槽与多个圆环形凹槽的深度均一致。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，阴极底座的总厚度大于所述第一沟槽的深度，且所述圆形凹槽与多个圆环形凹槽的深度均小于所述多个第一沟槽的深度。

5.根据权利要求2所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，

所述多个阴极通流环的一侧与所述阴极底座嵌合后接触，另一侧通过所述阴极接触片与半导体芯片接触，且所述多个阴极通流环中的每个阴极通流环通过阴极接触片与半导体芯片接触的一侧的外半径均大于或等于每个阴极通流环与所述阴极底座相嵌合一侧的外半径。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，所述阴极通流环包括一个阴极圆柱与多个阴极环；其中，

所述阴极圆柱能够与所述圆形凹槽相嵌合；

所述多个阴极环分别与多个圆环形凹槽中对应的圆环形凹槽相嵌合。

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，从靠近所述阴极圆柱的阴极环开始，贯穿所述阴极环的环壁均开设有与第一沟槽相配合的第二沟槽，其中，

靠近所述阴极圆柱的阴极环的环壁上开设有一个第二沟槽；

其他所有所述阴极环，所述阴极环的环壁上开设的第二沟槽数量相较于其内侧的阴极环均递增加1。

8.根据权利要求6所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上还设置有L型凹槽，用于与所述半导体芯片的门极结构相嵌合。

9.根据权利要求8所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，所述半导体芯片的门极结构外侧的所述阴极通流环，在通过阴极接触片接触所述半导体芯片的一侧的环壁上均开设有多个第三沟槽，用于放置门极引出环。

10.根据权利要求6所述的功率半导体器件管壳，其特征在于，所述阴极接触片包括圆形接触片与多个圆环形接触片；其中，

所述圆形接触片与所述阴极圆柱接触；

所述多个圆环形接触片分别与多个阴极环中对应的阴极环接触。