[实用新型]一种功率半导体器件管壳

说明书

本实用新型公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。

技术领域

本实用新型属于功率半导体器件领域，特别涉及一种功率半导体器件管壳。

背景技术

现有的功率半导体器件，例如压接式晶闸管器件采用管壳和芯片紧密压接的方式，如图1为一种传统功率半导体管壳，其中，包括半导体芯片、阳极管壳 1、阴极管壳7、绝缘环3、阴极接触片6、阳极接触片2、阴极引出环5以及门极引出环4，其中，所述阳极管壳1、阴极管壳7以及绝缘环3形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳1通过阳极接触片2与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳7通过阴极接触片6与半导体芯片的阴极接触，所述阴极引出环5由阴极管壳7边缘引出，所述门极引出环4通过所述阴极接触片6上设置的门极结构通道引出。但是在测试这样的晶闸管的特性时，通常只能在整体结构的外围通过电流探头测试得到整体的电流信息，而功率半导体器件内部不同区域的电流信息，受限于传统的统一整体的管壳结构，无法通过直接测量的方式进行获取，进而难以及时的对功率半导体器件进行失效检测及分析。

因此，如何有效地获取功率半导体器件内部不同区域的电流越来越成为亟待解决的技术问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种功率半导体器件管壳，通过改进阴极管壳结构，在其内部布置电流线圈孔道，降低阴极电流测量成本，提高检测效率。

本实用新型的目的在于提供一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，

所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；

所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。

进一步地，所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上还设置有多个凹槽，所述多个凹槽包括一个圆形凹槽与多个圆环形凹槽，其中，

所述圆形凹槽设置在所述阴极底座的中心；

所述多个圆环形凹槽围绕所述圆形凹槽沿所述阴极底座表面由内向外依次设置。

进一步地，

所述多个第一沟槽的宽度、长度、深度均一致；

所述圆形凹槽与多个圆环形凹槽的深度均一致。

进一步地，阴极底座的总厚度大于所述第一沟槽的深度，且所述圆形凹槽与多个圆环形凹槽的深度均小于所述多个第一沟槽的深度。

进一步地，

所述多个阴极通流环的一侧与所述阴极底座嵌合后接触，另一侧通过所述阴极接触片与半导体芯片接触，且所述多个阴极通流环中的每个阴极通流环通过阴极接触片与半导体芯片接触的一侧的外半径均大于或等于每个阴极通流环与所述阴极底座相嵌合一侧的外半径。

进一步地，所述阴极通流环包括一个阴极圆柱与多个阴极环；其中，

所述阴极圆柱能够与所述圆形凹槽相嵌合；

所述多个阴极环分别与多个圆环形凹槽中对应的圆环形凹槽相嵌合。