[实用新型]存储器制作装置

说明书

本公开实施例公开了一种存储器制作装置，包括：容腔；托盘，位于所述容腔内；一个或多个第一类喷嘴，位于所述容腔内；一个或多个第二类喷嘴，位于所述容腔内；其中，所述第一类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的第一距离为第一距离，所述第二类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的距离为第二距离；所述第二距离为一数值，所述第二距离小于所述第一距离；或者，所述第二类喷嘴为活动喷嘴，使得所述第二距离为若干个数值构成的组合或为数值范围，所述第二距离中的最小值小于所述第一距离；所述第一类喷嘴和所述第二类喷嘴，用于喷出第一气体。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器制作装置。

背景技术

在存储器的制作过程中，通常会采用气相沉积工艺向容置有目标物的腔室中通入气体，以在目标物表面形成薄膜。

由于形成的薄膜的均匀性会直接影响存储器的性能，因此，如何提高最终形成的薄膜的均匀性成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器制作装置，包括：

容腔；

托盘，位于所述容腔内；

一个或多个第一类喷嘴，位于所述容腔内；

一个或多个第二类喷嘴，位于所述容腔内；

其中，所述第一类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的距离为第一距离，所述第二类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的距离为第二距离；

所述第二距离为一数值，所述第二距离小于所述第一距离；或者，

所述第二类喷嘴为活动喷嘴，使得所述第二距离为若干个数值构成的组合或为数值范围，所述第二距离中的最小值小于所述第一距离；所述第一类喷嘴和所述第二类喷嘴，用于喷出第一气体。

在一些实施例中，多个所述第一类喷嘴和多个所述第二类喷嘴在所述容腔的周向方向上交叉分布。

在一些实施例中，多个所述第一类喷嘴以所述容腔的中心为对称中心，在所述周向方向上等角度分布在所述容腔内；

多个所述第二类喷嘴以所述容腔的中心为对称中心，在所述周向方向上等角度分布在所述容腔内。

在一些实施例中，所述托盘为活动托盘；所述活动托盘，能够以所述容腔的中心轴为旋转轴进行旋转。

在一些实施例中，所述装置还包括：

第一供气箱，用于提供所述第一气体；

所述第一类喷嘴和所述第二类喷嘴均通过第一类进气管，与所述第一供气箱连通；

在所述第一类进气管上设置有控制所述第一气体流通的第一类受控阀门。

在一些实施例中，所述装置还包括：

第三类喷嘴，位于所述容腔内，且位于第一类喷嘴和所述第二类喷嘴所在平面的垂直平面内，用于向位于所述托盘上的目标物喷出第二气体；

其中，所述第二气体，能够与所述第一气体反应以在所述目标物表面形成薄膜。

在一些实施例中，所述装置还包括：

第二供气箱，用于提供所述第二气体；

所述第三类喷嘴通过第二类进气管与第二供气箱连通，且在与所述第三类喷嘴连接的所述第二类进气管上设置有控制所述第二气体流通的第二类受控阀门。

在一些实施例中，所述装置包括等离子体气相沉积装置；

位于所述托盘上的目标物包括晶圆。