[实用新型]嵌入式电子器件有效
申请号: | 202020250172.5 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN212324448U | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 郭伟静;王蓓蕾 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518117 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 电子器件 | ||
1.一种嵌入式电子器件,其特征在于,包括:
第一基板;
第一磁芯,嵌入于所述第一基板中;
位于所述第一基板上且位于所述第一磁芯两侧的第一线路及第二线路;
多个第一导电元件,位于所述第一基板中,连接所述第一线路与所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈回路;
第一屏蔽层,位于所述第一线路背对所述第一磁芯的一侧,用于屏蔽外界电磁干扰。
2.根据权利要求1所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述嵌入式电子器件还包括:
与所述第一基板层叠设置的第二基板;
嵌入于所述第二基板中的第二磁芯;
位于所述第二基板上且位于所述第二磁芯两侧的第三线路及第四线路;
多个第二导电元件,位于所述第二基板中,连接所述第三线路与所述第四线路以形成环绕所述第二磁芯传输电流的线圈回路;
第二屏蔽层,位于所述第三线路背对所述第二磁芯的一侧。
3.根据权利要求2所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述第一屏蔽层和/或所述第二屏蔽层位于所述第一基板及所述第二基板之间。
4.根据权利要求3所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层为同一层。
5.根据权利要求3所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述第一基板、所述第一磁芯、多个所述第一导电元件、所述第一线路及所述第二线路形成变压器;
所述第二基板、所述第二磁芯、多个所述第二导电元件、所述第三线路及所述第四线路形成滤波器。
6.根据权利要求5所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述第一基板包括:
第一中心部,其上开设有贯穿所述第一基板的多个第一内部导通孔;和
第一外围部,其上开设有贯穿所述第一基板的多个第一外部导通孔;所述第一中心部和所述第一外围部之间形成第一容置槽,用于容纳所述第一磁芯;
所述多个第一导电元件部分位于所述第一内部导通孔中,其余部分位于所述第一外部导通孔中,位于所述第一内部导通孔中的部分第一导电元件和位于所述第一外部导通孔中的部分第一导电元件连接所述第一线路及所述第二线路以形成绕所述第一磁芯传输电流的线圈;
所述第二基板包括:
第二中心部,其上开设有贯穿所述第二基板的多个第二内部导通孔;和
第二外围部,其上开设有贯穿所述第二基板的多个第二外部导通孔;所述第二中心部和所述第二外围部之间形成第二容置槽,用于容纳所述第二磁芯;
所述多个第二导电元件部分位于所述第二内部导通孔中,其余部分位于所述第二外部导通孔中,位于所述第二内部导通孔中的部分第二导电元件和位于所述第二外部导通孔中的部分第二导电元件连接所述第三线路及所述第四线路以形成绕所述第二磁芯传输电流的线圈。
7.根据权利要求6所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述嵌入式电子器件还包括中心抽头,所述中心抽头连接所述第一线路和/或第二线路并接地;和/或
所述中心抽头连接所述第三线路和/或第四线路并接地。
8.根据权利要求7所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述第一屏蔽层为覆盖所述第一线路的整面层,及所述第二屏蔽层为覆盖所述第三线路的整面层;和/或
所述第一屏蔽层覆盖所述第一线路且与所述第一线路形状匹配,及所述第二屏蔽层覆盖所述第三线路且与所述第三线路形状匹配;和/或
所述第一屏蔽层为暴露所述第一中心部且覆盖所述第一线路的环形层,及所述第二屏蔽层为暴露所述第二中心部且覆盖所述第三线路的环形层;
其中,所述第一屏蔽层及所述第二屏蔽层材料为铜。
9.根据权利要求8所述的嵌入式电子器件,其特征在于,所述嵌入式电子器件还包括位于所述第一线路与所述第一屏蔽层之间和位于所述第三线路与所述第二屏蔽层之间的绝缘层,所述绝缘层与所述第一屏蔽层及第二屏蔽层上设有位置对应的过孔,所述第一屏蔽层及所述第二屏蔽层通过所述过孔与所述中心抽头连接并接地;或,
所述第一屏蔽层及所述第二屏蔽层上设有接地线以将所述第一屏蔽层及所述第二屏蔽层接地。
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