[实用新型]嵌入式焊盘结构有效
申请号: | 202020252537.8 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN211350633U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 李建财;张傲峰 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 盘结 | ||
1.一种嵌入式焊盘结构,其特征在于,包括:
半导体基底,所述半导体基底具有顶部金属层,所述顶部金属层包括间隔布置的第一连接部和第二连接部;
第一介质层和第一接触垫,所述第一介质层覆盖所述半导体基底、第一连接部和第二连接部,所述第一介质层中具有露出所述第一连接部上表面的第一通孔,所述第一接触垫位于所述第一通孔中并与所述第一连接部电接触;
第二介质层和导电插塞,所述第二介质层覆盖所述第一介质层和第一接触垫,所述第一介质层和第二介质层的叠层具有贯穿其中的第二通孔,所述导电插塞设在所述第二通孔中并与所述第二连接部电接触;以及
第三介质层和第二接触垫,所述第三介质层覆盖所述第二介质层和所述导电插塞,所述第三介质层中具有第三通孔,所述第二接触垫位于所述第三通孔中并与所述导电插塞电接触,且所述第二接触垫上表面与所述第三介质层上表面齐平,所述第三介质层和所述第二介质层的叠层中具有露出所述第一接触垫的第四通孔,所述第一接触垫暴露的部分为内焊盘,所述第二接触垫为外焊盘。
2.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述第一接触垫的上表面高于所述第一介质层的上表面,且所述第二介质层的上表面高于所述第一接触垫的上表面。
3.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述第四通孔露出所述第一接触垫的上表面和位于所述第一接触垫周围的所述第一介质层的部分上表面。
4.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述嵌入式焊盘结构还包括与所述第二接触垫电接触的焊料凸点。
5.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述外焊盘的底面位于所述导电插塞的上表面内,且所述外焊盘的底面面积小于所述导电插塞的上表面面积。
6.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述外焊盘的底面与所述导电插塞的上表面面积相同且重合。
7.如权利要求1所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述第一介质层包括依次叠加设置于所述顶部金属层上的氮化层和氧化层。
8.如权利要求1至7任一项所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述第四通孔的深度为50μm~200μm。
9.如权利要求1至7任一项所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述第二通孔的直径为0.5μm~10μm。
10.如权利要求1至7任一项所述的嵌入式焊盘结构,其特征在于,所述外焊盘的厚度为1μm~20μm。
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