[实用新型]嵌入式焊盘结构

说明书

本实用新型涉及一种嵌入式焊盘结构。所述嵌入式焊盘结构包括分别与半导体基底的顶部金属层中的第一连接部和第二连接部电连接的内焊盘和外焊盘，其中，内焊盘低于外焊盘，外焊盘嵌设于内焊盘上方的介质层中，所述内焊盘和外焊盘可用于与外部器件电连接，外焊盘的上表面与周围的第三介质层的上表面齐平，在确保嵌入式焊盘结构与晶圆中的内部电路形成良好电连接的基础上，有助于使半导体基底上的焊盘之间形成细微间距，缩小后续形成的封装体的体积。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种嵌入式焊盘结构的制作方法。

背景技术

利用集成电路工艺，把电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连并集成在半导体基底上可以制作得到芯片，集成电路的制造过程就是芯片的制造过程。在晶圆上利用集成电路工艺制作芯片时，通常还在芯片上形成焊盘，焊盘用于与外部器件进行电性连接。在倒装式封装技术中，在焊盘上会形成焊料凸点(bump或solderball)，在封装时，晶圆以倒扣方式通过焊料凸点与封装衬底形成电气互联，互联长度大大缩短，不仅有效地提高了电性能，而且封装尺寸小，可靠性也可以得到提高。

为了满足芯片设计和质量要求，现有的一种焊盘结构包括在芯片上形成的内焊盘(innerpad)和外焊盘(outerpad)，内焊盘和外焊盘均通过上方氧化层的开口露出，但内焊盘的暴露面明显低于外焊盘。为了制备得到这种焊盘结构，现有工艺需要执行多次热沉积工艺以及多次光刻及刻蚀工艺，流程复杂且成本较高，且所形成的焊盘结构存在焊盘之间间距大从而体积较大等问题。

实用新型内容

为了优化焊盘结构，本实用新型提供了一种嵌入式焊盘结构。所述嵌入式焊盘结构包括：

半导体基底，所述半导体基底具有顶部金属层，所述顶部金属层包括间隔布置的第一连接部和第二连接部；

第一介质层和第一接触垫，所述第一介质层覆盖所述半导体基底、第一连接部和第二连接部，所述第一介质层中具有露出所述第一连接部上表面的第一通孔，所述第一接触垫位于所述第一通孔中并与所述第一连接部电接触；

第二介质层和导电插塞，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和第一接触垫，所述第一介质层和第二介质层的叠层具有贯穿其中的第二通孔，所述导电插塞设在所述第二通孔中并与所述第二连接部电接触；以及

第三介质层和第二接触垫，所述第三介质层覆盖所述第二介质层和所述导电插塞，所述第三介质层中具有第三通孔，所述第二接触垫位于所述第三通孔中并与所述导电插塞电接触，且所述第二接触垫上表面与所述第三介质层上表面齐平，所述第三介质层和所述第二介质层的叠层中具有露出所述第一接触垫的第四通孔，所述第一接触垫暴露的部分为内焊盘，所述第二接触垫为外焊盘。

可选的，所述第一接触垫的上表面高于所述第一介质层的上表面，且所述第二介质层的上表面高于所述第一接触垫的上表面。

可选的，所述第四通孔露出所述第一接触垫的上表面以及位于所述第一接触垫周围的所述第一介质层的部分上表面。

可选的，所述嵌入式焊盘结构还包括与所述第二接触垫电接触的焊料凸点。

可选的，所述外焊盘的底面位于所述导电插塞的上表面内，且所述外焊盘的底面面积小于所述导电插塞的上表面面积。

可选的，所述外焊盘的底面与所述导电插塞的上表面面积相同且重合。

可选的，所述第一介质层包括依次叠加设置于所述顶部金属层上的氮化层和氧化层。

可选的，所述第四通孔的深度为50μm～200μm。

可选的，所述第二通孔的直径为0.5μm～10μm。

可选的，所述外焊盘的厚度为1μm～20μm。