[实用新型]一种晶体管结构

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，其包括：

基底；

多个栅极结构，其设置在所述基底上，相邻所述栅极结构之间设有预设间隔距离；

侧墙结构，其设置在每个所述栅极结构的两侧；

台阶结构，其设置在所述侧墙结构与所述基底的连接处；

薄膜层，其设置在所述基底上，且覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述侧墙结构和所述台阶结构。

2.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构还包括栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述基底上，且位于所述基底与所述多个栅极结构之间。

3.根据权利要求2所述一种晶体管结构，其特征在于，所述栅极氧化层为氧化硅层。

4.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述预设间隔距离为80-110nm。

5.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述侧墙结构为氧化硅层。

6.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述台阶结构为氧化硅层。

7.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述侧墙结构的厚度为6-10nm。

8.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述台阶结构的厚度为6-10nm。

9.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构为堆叠栅结构。

10.根据权利要求1所述一种晶体管结构，其特征在于，所述基底为硅基底。