[实用新型]一种晶体管结构

说明书

本实用新型公开了一种晶体管结构，属于半导体技术领域。本实用新型的晶体管结构包括：基底；多个栅极结构，其设置在所述基底上，相邻所述栅极结构之间设有预设间隔距离；侧墙结构，其设置在每个所述栅极结构的两侧；台阶结构，其设置在所述侧墙结构与所述基底的连接处；薄膜层，其设置在所述基底上，且覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述侧墙结构和所述台阶结构。本实用新型解决了由于栅极结构侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，造成的在薄膜沉积过程中出现深坑或孔洞等缺陷的问题，这避免了后继接触管道的漏电及器件的失效，从而保证了晶体管产品的质量。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管结构。

背景技术

为了隔离存储器单元源漏区和栅极区，以避免源漏区离子注入区域离栅极区太近而引发短沟道效应，同时保护栅极区的侧壁，在栅极区的侧壁通常制作有侧墙(spacer)。而对于部分存储器单元，相邻侧墙之间区域的深宽比对于薄膜沉积能力要求苛刻，即使依靠高密度等离子体化学气相沉积(HDP)这种填洞能力良好的工艺，也无法覆盖较大的深坑，侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，容易在“深坑”中间造成凹陷或夹断，且严重时，会使得两侧墙肩部形成缝隙或孔洞，造成后继接触管道的漏电，器件失效，从而影响存储器产品的质量。另外由于侧墙的一个重要作用就是在后继较深的离子植入时保护轻掺杂漏极(LDD)，源/漏扩展(SDE)，袋植入工程(Halo)等区域，从而既有效的抑制短通道效应，又降低因浅接面造成源/漏极高阻值影响。因此必须要求制程能够严格控制源/漏极区域和大小，这也限制着现有的侧墙结构不能进行直接减薄调整。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶体管结构，解决了由于栅极结构侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，造成的在薄膜沉积过程中出现深坑或孔洞等缺陷的问题，这避免了后继接触管道的漏电及器件的失效，从而保证了晶体管产品的质量。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供了一种晶体管结构，其包括：

基底；

多个栅极结构，其设置在所述基底上，相邻所述栅极结构之间设有预设间隔距离；

侧墙结构，其设置在每个所述栅极结构的两侧；

台阶结构，其设置在所述侧墙结构与所述基底的连接处；

薄膜层，其设置在所述基底上，且覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述侧墙结构和所述台阶结构。

在本实用新型的一个实施例中，所述晶体管结构还包括栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述基底上，且位于所述基底与所述多个栅极结构之间。

在本实用新型的一个实施例中，所述栅极氧化层为氧化硅层。

在本实用新型的一个实施例中，所述预设间隔距离为80-110nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述侧墙结构为氧化硅层。

在本实用新型的一个实施例中，所述台阶结构为氧化硅层。

在本实用新型的一个实施例中，所述侧墙结构的厚度为6-10nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述台阶结构的厚度为6-10nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述栅极结构为堆叠栅结构。

在本实用新型的一个实施例中，所述基底为硅、锗、硅锗、碳化硅、绝缘体上覆硅(SOI)、绝缘体上覆锗(GOI)、砷化镓等Ⅲ、Ⅴ族化合物中的一种。