[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 202020262084.7 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN211126440U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/10;H01S5/22;H01S5/028;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；
光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；
抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；
高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述波导阵列包括：
第一波导阵列，所述第一波导阵列为脊波导阵列，所述第一波导阵列的一端连接所述光耦合器的光输入端；
第二波导阵列，所述第二波导阵列为脊波导阵列，所述第二波导阵列设置在所述第一波导阵列的另一端。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述波导阵列和所述光耦合器均形成于半导体外延层上；所述半导体外延层自下而上依次包括：衬底、下限制层、量子阱、上限制层和欧姆接触层。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，在所述半导体外延层上形成所述第一波导阵列和所述光耦合器的区域内，所述欧姆接触层的厚度为零。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊波导阵列的脊条高度小于或等于所述欧姆接触层和所述上限制层的总厚度。
6.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一波导阵列和所述第二波导阵列的连接处设置有沟槽。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述沟槽穿过所述半导体外延层中的所述欧姆接触层，并延伸至所述上限制层。
8.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一波导阵列由直波导组成；所述第二波导阵列由直波导、弯曲波导、锥形波导中的一种或多种组成。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述光耦合器的宽度大于所述波导阵列的总宽度。
10.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二波导阵列连接所述第一波导阵列的一端与所述第一波导阵列具有相等的波导间隔和/或相等的单根波导宽度。
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