[实用新型]一种半导体激光器

说明书

本申请实施例提供一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。本申请实现了提高半导体激光器的光输出功率。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体激光器。

背景技术

半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。传统的半导体激光器由于物理结构的限制，基本无法通过单管来得到很高的光输出功率，只能通过直接光纤耦合、波长复用、偏振复用等激光巴条的空间合束方法来实现高功率输出。

但是，对于单模半导体激光器而言，直接光纤耦合一般损耗较大。另外，由于波长的单一性，也无法通过波长复用的方式来实现空间光的合束，并且，同一巴条上的激光器的输出光的偏振状态一般是相同的，因此采用偏振合束对输出光功率的提高也非常有限，还会带来额外的光损耗。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种半导体激光器，用以实现提高半导体激光器的光输出功率。

本申请实施例第一方面提供了一种半导体激光器，包括：波导阵列，所述波导阵列由多个子波导组成；光耦合器，设置在所述波导阵列的一端；抗反膜，设置在所述光耦合器的光输出端；高反膜，设置在所述波导阵列的另一端。

于一实施例中，所述波导阵列包括：第一波导阵列，所述第一波导阵列为脊波导阵列，所述第一波导阵列的一端连接所述光耦合器的光输入端；第二波导阵列，所述第二波导阵列为脊波导阵列，所述第二波导阵列设置在所述第一波导阵列的另一端。

于一实施例中，所述波导阵列和所述光耦合器均形成于半导体外延层上；所述半导体外延层自下而上依次包括：衬底、下限制层、量子阱、上限制层和欧姆接触层。

于一实施例中，在所述半导体外延层上形成所述第一波导阵列和所述光耦合器的区域内，所述欧姆接触层的厚度为零。

于一实施例中，所述脊波导阵列的脊条高度小于或等于所述欧姆接触层和所述上限制层的总厚度。

于一实施例中，所述第一波导阵列和所述第二波导阵列的连接处设置有沟槽。

于一实施例中，所述沟槽穿过所述半导体外延层中的所述欧姆接触层，并延伸至所述上限制层。

于一实施例中，所述第一波导阵列由直波导组成；所述第二波导阵列由直波导、弯曲波导、锥形波导中的一种或多种组成。

于一实施例中，所述光耦合器的宽度大于所述波导阵列的总宽度。

于一实施例中，所述第二波导阵列连接所述第一波导阵列的一端与所述第一波导阵列具有相等的波导间隔和/或相等的单根波导宽度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例的半导体激光器的结构示意图；

图2为本申请一实施例的半导体激光器的结构示意图；

图3a为本申请一实施例的锥形波导的结构示意图；

图3b为本申请一实施例的锥形波导的结构示意图；

图3c为本申请一实施例的锥形波导的结构示意图；

图4为本申请一实施例的半导体激光器的结构示意图；