[实用新型]一种集成式立体Micro LED有效
| 申请号： | 202020271525.X | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN211320105U | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 立体 micro led | ||
1.一种集成式立体Micro LED，其特征在于，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、遮挡层、第一电极和第二电极：
所述导电衬底设有若干个孔洞，所述孔洞从导电衬底的表面刻蚀到导电衬底的内部，所述阻挡层设置在孔洞以外的导电衬底正面上，所述外延层设置在孔洞内并与导电衬底形成导电连接，所述外延层不高于所述阻挡层，所述阻挡层由挡光绝缘材料制成；
所述透明导电层设置在阻挡层和外延层上，以将若干个外延层形成导电连接；
所述遮挡层贯穿所述透明导电层并设置在阻挡层上，以防止外延层侧壁漏光；
所述第一电极设置在透明导电层上，所述第二电极设置在导电衬底的背面。
2.如权利要求1所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述导电衬底由硅制成，所述阻挡层由氮化硅制成。
3.如权利要求2所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述导电衬底的厚度为80～150μm，所述孔洞的深度为5～10μm。
4.如权利要求2所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述阻挡层的厚度为100～300nm。
5.如权利要求1所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述透明导电层由ITO、AzO、ZnO、Ni-Au合金和Ru-Au合金中的一种制成。
6.如权利要求1所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述遮挡层由黑色不透光材料制成，所述遮挡层的厚度为7～15μm。
7.如权利要求1所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，所述第一电极的结构为Cr/Pt/Au，其厚度为2-50nm/30-150nm/500-3000nm；
所述第二电极的结构为Al/Ti/Pt/Au，其厚度为100-300nm/50-100nm/30-150nm/800-1200nm。
8.如权利要求1所述的集成式立体Micro LED，其特征在于，还包括保护层和量子点，所述保护层由绝缘材料制成，其覆盖在透明导电层上；
所述量子点设置在外延层上方的保护层上，外延层发出的光经过量子点后出射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
