[实用新型]一种集成式立体Micro LED

说明书

本实用新型公开了一种集成式立体Micro LED，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、保护层、遮挡层、第一电极和第二电极。本实用新型在图型化的导电衬底上形成若干个Micro LED小面积的外延层，利用导电衬底上下电性倒通的特性，省去激光剥离衬底的问题，在非图型区域形成透明导电层将若干个的外延层形成导电连接，形成阵列模式，同时配合第一电极和第二电极，实现Micro LED的集成，解决了巨量转移的问题。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种集成式立体Micro LED。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED)是一种尺寸为微米级的发光二极管，由于Micro LED的尺寸较小，因此其可以作为显示面板上的像素，采用Micro LED制备得到的显示面板可称为Micro LED显示面板。与有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示面板相比，Micro LED显示面板的使用寿命和可视角度均优于OLED显示面板，因此Micro LED显示技术成为目前显示技术领域的研究重点。

Micro LED显示面板包括阵列基板以及阵列排布在阵列基板上的多颗Micro LED，每颗Micro LED可以视为一个像素。相关技术中，通常采用转移设备将Micro LED一颗一颗地转移并放置在阵列基板上，并通过芯片级焊接(Chip bonding)工艺将Micro LED焊接在阵列基板上，最终制备得到Micro LED显示面板。

但是由于显示面板中像素的数量很多，采用相关技术提供的制备工艺制备MicroLED显示面板的过程中，转移Micro LED的过程较繁琐，导致Micro LED显示面板的制备过程复杂且制备效率较低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种集成式立体Micro LED，在导电衬底上集成多个发光结构，提高转移效率，降低成本。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种集成式立体Micro LED，包括导电衬底、阻挡层、外延层、透明导电层、遮挡层、第一电极和第二电极：

所述导电衬底设有若干个孔洞，所述孔洞从导电衬底的表面刻蚀到导电衬底的内部，所述阻挡层设置在孔洞以外的导电衬底正面上，所述外延层设置在孔洞内并与导电衬底形成导电连接，所述外延层不高于所述阻挡层，所述阻挡层由挡光绝缘材料制成；

所述透明导电层设置在阻挡层和外延层上，以将若干个外延层形成导电连接；

所述遮挡层贯穿所述透明导电层并设置在阻挡层上，以防止外延层侧壁漏光；

所述第一电极设置在透明导电层上，所述第二电极设置在导电衬底的背面。

作为上述方案的改进，所述导电衬底由硅制成，所述阻挡层由氮化硅制成。

作为上述方案的改进，所述导电衬底的厚度为80～150μm，所述孔洞的深度为5～10μm。

作为上述方案的改进，所述阻挡层的厚度为100～300nm。

作为上述方案的改进，所述透明导电层由ITO、AzO、ZnO、Ni-Au合金和Ru-Au合金中的一种制成。

作为上述方案的改进，所述遮挡层由黑色不透光材料制成，所述遮挡层的厚度为7～15μm。

作为上述方案的改进，所述第一电极的结构为Cr/Pt/Au，其厚度为2-50nm/30-150nm/500-3000nm；

所述第二电极的结构为Al/Ti/Pt/Au，其厚度为100-300nm/50-100nm/30-150nm/800-1200nm。