[实用新型]一种高精度晶振测试电路有效
申请号: | 202020281010.8 | 申请日: | 2020-03-09 |
公开(公告)号: | CN211785919U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 夏涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥宇达电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 梁炎芳;谭雪婷 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 测试 电路 | ||
1.一种高精度晶振测试电路,其特征在于:包括用于待检测的测试晶振、用于引起振荡信号的场效应晶体管、用于将振荡信号进行放大的第一三极管、用于将振荡电流进行放大的倍压整流电路、用于导通振荡信号的第二三极管、用于检验提示测试晶振正常与否的发光二极管、测试开关及电源,所述场效应晶体管的栅极经过第一电容与测试晶振的第一端连接,所述场效应晶体管的漏极分别与测试晶振的第二端、第一三极管的基极、第一三极管的集电极连接,所述场效应晶体管的源极与倍压整流电路的第一输入端连接,所述第一三极管的发射极与倍压整流电路的第二输入端连接,所述倍压整流电路的第一输出端与第二三极管的基极连接,所述倍压整流电路的第二输出端与第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的集电极与发光二极管的负极连接,所述发光二极管的正极依次经过第一电阻、测试开关并与电源连接。
2.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述倍压整流电路包括第一二极管、第二二极管、第二电容、第三电容及第二电阻,所述第一三极管的发射极分别与第二电阻的第一端、第二电容的第一端连接,所述第二电阻的第二端分别与第一二极管的正极、第三电容的第一端、第二三极管的发射极连接,所述第二电容的第二端分别与第一二极管的负极、第二二极管的正极连接,所述第二二极管的负极分别与第三电容的第二端、第二三极管的基极连接。
3.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述场效应晶体管的漏极与第一三极管的集电极之间接有第三电阻。
4.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述场效应晶体管与第一三极管之间并联有第四电容。
5.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述电源为+6V电压。
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