[实用新型]一种高精度晶振测试电路有效

专利信息
申请号: 202020281010.8 申请日: 2020-03-09
公开(公告)号: CN211785919U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 夏涛 申请(专利权)人: 深圳市奥宇达电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 梁炎芳;谭雪婷
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 测试 电路
【权利要求书】:

1.一种高精度晶振测试电路,其特征在于:包括用于待检测的测试晶振、用于引起振荡信号的场效应晶体管、用于将振荡信号进行放大的第一三极管、用于将振荡电流进行放大的倍压整流电路、用于导通振荡信号的第二三极管、用于检验提示测试晶振正常与否的发光二极管、测试开关及电源,所述场效应晶体管的栅极经过第一电容与测试晶振的第一端连接,所述场效应晶体管的漏极分别与测试晶振的第二端、第一三极管的基极、第一三极管的集电极连接,所述场效应晶体管的源极与倍压整流电路的第一输入端连接,所述第一三极管的发射极与倍压整流电路的第二输入端连接,所述倍压整流电路的第一输出端与第二三极管的基极连接,所述倍压整流电路的第二输出端与第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的集电极与发光二极管的负极连接,所述发光二极管的正极依次经过第一电阻、测试开关并与电源连接。

2.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述倍压整流电路包括第一二极管、第二二极管、第二电容、第三电容及第二电阻,所述第一三极管的发射极分别与第二电阻的第一端、第二电容的第一端连接,所述第二电阻的第二端分别与第一二极管的正极、第三电容的第一端、第二三极管的发射极连接,所述第二电容的第二端分别与第一二极管的负极、第二二极管的正极连接,所述第二二极管的负极分别与第三电容的第二端、第二三极管的基极连接。

3.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述场效应晶体管的漏极与第一三极管的集电极之间接有第三电阻。

4.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述场效应晶体管与第一三极管之间并联有第四电容。

5.根据权利要求1所述的高精度晶振测试电路,其特征在于:所述电源为+6V电压。

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