[实用新型]一种低功耗RC时间常数校正电路有效

专利信息
申请号: 202020284535.7 申请日: 2020-03-10
公开(公告)号: CN211239829U 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 罗志国;李俊;夏建宝;高龙辉;危长明;陈良生 申请(专利权)人: 上海胤祺集成电路有限公司
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10
代理公司: 上海海贝律师事务所 31301 代理人: 范海燕
地址: 201203 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 rc 时间常数 校正 电路
【说明书】:

本实用新型公开了一种低功耗RC时间常数校正电路,该电路包括:电流源I,其一端接地,另一端接至开关S2的一端;开关S2,其一端接电流源I,另一端接开关S1的一端、P1管的栅端和漏端、P2管的栅端、P3管的栅端,S2的开与关受RN信号控制;MOS管P2,其源端接电源VDD;其栅端与开关S1的一端、开关S2的一端、P1管的栅端和漏端、P3管的栅端相连,其漏端与开关S3的一端相连。本实用新型,通过将系统主时钟CLK进行降频处理,有效地的降低了对比较器Comp的带宽要求;最终,完成校正后,通过将SAR logic产生的复位信号反馈到Nand2、S1、S2及Comp模块,实现了整体校正电路的关闭处理,实现了低功耗和避免校正电路对芯片的影响。

技术领域

本实用新型涉及RC时间常数校正电路技术领域,具体为一种低功耗RC时间常数校正电路。

背景技术

在高速连续时间型sigma-delta ADC等需要用到RC滤波器的芯片设计中,用于构成滤波器的电阻R和电容C由于受工艺偏差等影响,其RC常数有±30%~±40%的偏差,导致芯片系统性能下降甚至不能正常工作。因此,通常在芯片中需要集成RC时间常数校正电路。

在传统的RC时间常数校正电路实现时,采用如图1所示方式,其RC充放电支路的时钟为系统主时钟CLK,其频率为Fs。通常,在高速芯片设计中,系统时钟CLK的频率Fs很高,导致校正电路中的比较器带宽要求非常高,以满足半个系统时钟周期Ts/2内完成比较并不出现误码的需求。这对比较器的设计带来极大的挑战。

另一方面,传统的RC时间常数校正电路在完成校正工作后,其电流支路P1、P2、P3,比较器comp模块,及SAR logic模块仍然处于工作状态。这将导致一方面,校正电路输出信号DN:0可能出现误码;另一方面,校正电路一直消耗电流,不适合低功耗应用领域。

为了克服这些缺陷,本发明提供一种改进的用于RC时间常数校正的电路,在满足精准校正RC时间常数的要求下,同时降低了电路的设计难度并降低了芯片的功耗。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低功耗RC时间常数校正电路,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种低功耗RC时间常数校正电路,该电路包括:

电流源I,其一端接地,另一端接至开关S2的一端;

开关S2,其一端接电流源I,另一端接开关S1的一端、P1管的栅端和漏端、P2管的栅端、P3管的栅端,S2的开与关受RN信号控制;

开关S1,其一端接电源VDD,另一端接开关S2的一端、P1管的栅端和漏端、P2管的栅端、P3管的栅端,S1的开与关受RP信号控制;

MOS管P1、其源端接电源VDD,漏端和栅端短接后与开关S1的一端、开关S2的一端、P2管的栅端、P3管的栅端相连;

MOS管P2,其源端接电源VDD;其栅端与开关S1的一端、开关S2的一端、P1管的栅端和漏端、P3管的栅端相连,其漏端与开关S3的一端相连;

MOS管P3,其源端接电源VDD,其栅端与开关S1的一端、开关S2的一端、P1管的栅端和漏端、P2管的栅端相连,其漏端与电阻Rm一端相连;

开关S3,其一端接P2管的漏端,另一端接开关S4的一端、可变电容C的一端、比较器Comp的正输入端,S3的开与关受CLKN信号控制;

开关S4,其一端接地GND,另一端接开关S3的一端、可变电容C的一端、比较器Comp的正输入端,S4的开与关受CLKP信号控制;

可变电容阵列C,其一端接地GND,另一端接开关S3的一端、开关S4的一端、比较器的正输入端,可变电容C的值受SAR logic模块的输出信号DN:0控制;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海胤祺集成电路有限公司,未经上海胤祺集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020284535.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top