[实用新型]一种用于射频磁控溅射仪的升降装置有效

专利信息
申请号: 202020317994.0 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN211713194U 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 郭俊春 申请(专利权)人: 重庆盛科纳科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50
代理公司: 重庆千石专利代理事务所(普通合伙) 50259 代理人: 黄莉
地址: 400000 重庆市九*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 射频 磁控溅射 升降 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种用于射频磁控溅射仪的升降装置,包括工作台,所述工作台上放置有溅射仪,该溅射仪设有真空室,所述真空室内设置有载物台及靶头,基片承载在所述载物台上,其特征在于:所述载物台旋转设置在所述真空室内,且所述靶头设置在所述载物台上方;所述工作台上还固定有气动伸缩装置,该气动伸缩装置包括气动伸缩杆,所述气动伸缩杆顶部栓接有定位柱,该定位柱底部栓接有止挡块,在所述止挡块内部穿设定位轴,且该定位轴的顶部与所述定位柱底部栓接,所述定位轴的底部与所述靶头栓接固定。

技术领域

本实用新型设计一种升降装置,具体涉及一种用于射频磁控溅射仪的升降装置。

背景技术

磁控溅射是一个磁控运行模式的二级溅射。在靶面上产生水平分量的磁场或者垂直分量的磁场,由气体放电产生的电子被束缚在靶面附近的等离子区内的特定轨道内运转;受电场力和磁场力的复合作用,沿一定的跑道作旋轮转圈。现代的磁控镀膜设备,可分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。

磁控溅射仪是在真空条件下,利用磁控溅射的方法制备薄膜仪器,其样品台固定不动,不可升降,只能通过调节溅射靶升降来调节样品基片和溅射靶之间的距离,而磁控靶可调节的距离非常有限,有限的靶基距测量也非常不便。

基于此,特提出了一种用于射频磁控溅射仪的升降装置。

实用新型内容

针对上述现有技术的不足,本实用新型所要解决的技术问题是:提供了一种用于射频磁控溅射仪的升降装置解决现有的磁控靶调节距离问题,结构简单,适用性强。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用了如下的技术方案:一种用于射频磁控溅射仪的升降装置,包括工作台,所述工作台上放置有溅射仪,该溅射仪设有真空室,所述真空室内设置有载物台及靶头,基片承载在所述载物台上,其特征在于:所述载物台旋转设置在所述真空室内,且所述靶头设置在所述载物台上方;

所述工作台上还固定有气动伸缩装置,该气动伸缩装置包括气动伸缩杆,所述气动伸缩杆顶部栓接有定位柱,该定位柱底部栓接有止挡块,在所述止挡块内部穿设定位轴,且该定位轴的顶部与所述定位柱底部栓接,所述定位轴的底部与所述靶头栓接固定。

优选的,所述定位轴底部栓接有滑动槽,在滑动槽内滑动连接有滑动块,所述滑动块与所述靶头栓接固定。

优选的,所述载物台中设有加热元件,且该加热元件真空密封在所述载物台中。

优选的,所述真空室的材质为石英玻璃,真空室上开设有真空抽气孔,真空泵通过管路与真空抽气口相连接。

优选的,所述载物台底部与所述真空室底部之间转动设置有转动轴。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:通过气动伸缩装置的使用,对靶头进行纵向移动,通过滑动槽的使用,对靶头进行横向移动,从而调整了靶基距范围,调节方便,且靶基距调整范围大。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。

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