[实用新型]一种过温保护电路有效
| 申请号： | 202020328602.0 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN212258394U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李智超;马轶男;汪忠伟;张紫薇;李挺 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 北京弘慧知识产权代理有限公司 11749 | 代理人： | 朱紫晓 |
| 地址： | 110000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 | ||
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括应用电路以及依次串联的温度检测电路、分压电路和导通电路，其中，所述温度检测电路包括NTC型热敏电阻；所述温度检测电路和所述应用电路均电连接至电源正极，所述分压电路和所述应用电路均电连接至电源负极；所述温度检测电路超过预设温度阈值的上限值时，所述导通电路与所述应用电路导通连接，以使所述电源正极、所述应用电路和所述电源负极之间导通连接。
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述导通电路包括单向可控硅。
3.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述导通电路包括串联的二极管D1、二极管D2和三极管，所述二极管D1电连接至所述分压电路，所述三极管电连接至所述应用电路。
4.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述导通电路包括串联的二极管D1、二极管D2和Mosfet/IGBT驱动器，所述二极管D1电连接至所述分压电路，所述Mosfet/IGBT驱动器至所述应用电路。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的过温保护电路，其特征在于，所述分压电路包括串接的第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1电连接至所述温度检测电路，所述第二电阻R2分别电连接至所述导通电路和所述电源负极。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的过温保护电路，其特征在于，所述分压电路包括串接的稳压二极管ZD1和第二电阻R2，所述稳压二极管ZD1电连接至所述温度检测电路，所述第二电阻R2分别电连接至所述导通电路和所述电源负极。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路还包括精密可调电阻，所述精密可调电阻与所述NTC型热敏电阻串联或并联连接。
8.根据权利要求5所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路还包括精密可调电阻，所述精密可调电阻与所述NTC型热敏电阻串联或并联连接。
9.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路还包括精密可调电阻，所述精密可调电阻与所述NTC型热敏电阻串联或并联连接。
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