[实用新型]多次可编程存储器的单元结构有效
| 申请号： | 202020331150.1 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN211350659U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 秋珉完;金起準 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储器 单元 结构 | ||
1.一种多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，包括：
衬底，
位于所述衬底上的浮栅，位于所述浮栅的侧壁的第一侧墙；以及，
依次位于所述浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。
2.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括位于所述衬底上的选择栅，所述选择栅的侧壁形成有第二侧墙。
3.根据权利要求2所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述衬底中形成有源区，所述有源区中形成有源掺杂区和漏掺杂区。
4.根据权利要求3所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述浮栅和所述选择栅位于所述源掺杂区和所述漏掺杂区之间。
5.根据权利要求3所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括自对准硅化物层，所述自对准硅化物层覆盖所述选择栅、所述控制栅及所述源掺杂区和所述漏掺杂区。
6.根据权利要求5所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，还包括位于所述自对准硅化物层上并覆盖所述衬底的层间介质层，
位于所述层间介质层内且与所述自对准硅化物层连接的导电插塞，
及位于所述层间介质层上且与所述导电插塞连接的电极结构。
7.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述浮栅和所述衬底之间形成有栅氧化层。
8.根据权利要求1所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述SAB薄膜包括在所述浮栅表面依次叠加的氧化层和氮化层。
9.根据权利要求2所述的多次可编程存储器的单元结构，其特征在于，所述第一侧墙和所述第二侧墙均具有ONO结构。
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