[实用新型]多次可编程存储器的单元结构

说明书

本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种多次可编程(MTP)存储器的单元结构。

背景技术

存储器是数字集成电路中重要的组成部分，它更是构建基于微处理器的应用系统不可缺少的一部分。近年来，人们将各种存储器嵌入在处理器内部以提高处理器的集成度与工作效率。

多次可编程(Multi-Time Program Memory，MTP)存储器，相比于单次可编程存储器(One time Program Memory，OTP)来说，具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，已逐渐成为个人电脑、电子设备、移动存储等领域所广泛采用的一种存储器器件。

然而，利用传统的方法形成的多次可编程存储器的单元结构的尺寸较大，且性能尚不够理想。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种多次可编程存储器的单元结构，减小多次可编程存储器的单元结构的尺寸，提高多次可编程存储器的性能。

为达到上述目的，本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括：

衬底，

位于所述衬底上的浮栅，位于所述浮栅的侧壁的第一侧墙；以及，

依次位于所述浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。

可选的，还包括位于所述衬底上的选择栅，所述选择栅的侧壁形成有第二侧墙。

可选的，所述衬底中形成有源区，所述有源区中形成有源掺杂区和漏掺杂区。

可选的，所述浮栅和所述选择栅位于所述源掺杂区和所述漏掺杂区之间。

可选的，还包括自对准硅化物层，所述自对准硅化物层覆盖所述选择栅、所述控制栅及所述源掺杂区和所述漏掺杂区。

可选的，还包括位于所述自对准硅化物层上并覆盖所述衬底的层间介质层，位于所述层间介质层内且与所述自对准硅化物层连接的导电插塞及位于所述层间介质层上且与所述导电插塞连接的电极结构。

可选的，所述浮栅和所述衬底之间形成有栅氧化层。

可选的，所述SAB薄膜包括在所述浮栅表面依次叠加的氧化层和氮化层。

可选的，所述第一侧墙和所述第二侧墙均具有ONO结构。

综上，本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于所述衬底上的浮栅，位于所述浮栅侧壁的第一侧墙，以及依次位于所述浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且所述控制栅和所述SAB薄膜沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于所述浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。