[实用新型]一种编程器高速IO与高压电路并存的电路

权利要求书

1.一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，包括FPGA芯片U1A、MOS管M1、电阻RS1、三极管QC1、三极管QP1和三极管QN1，其特征在于，所述FPGA芯片U1A的IO供电脚连接程控可变电压VCCIO，FPGA芯片U1A的通用口IO1连接电阻RS1，电阻RS1的另一端连接MOS管M1的源极，MOS管M1的栅极连接程控可变电压VG，MOS管M1的漏极连接二极管DC1的阴极、锁紧座ZIF1、三极管QP1的集电极和三极管QN1的集电极，二极管DC1的阳极连接三极管QC1的集电极，三极管QC1的基极连接VDD驱动芯片，三极管QC1的发射极连接电源VDD，三极管QP1的发射极连接电源VPP，三极管QP1的基极连接VPP驱动芯片，三极管QN1的基极连接GND驱动芯片，三极管QN1的发射极连接GND。

2.根据权利要求1所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述程控可变电压VCCIO的电压范围为DC1.2–3.6V。

3.根据权利要求1所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述电源VDD电压范围为DC1.2–6.5V。

4.根据权利要求1所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述电源VPP电压范围为DC6-25V。

5.根据权利要求1所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述程控可变电压VG由MCU或FPGA程序控制。

6.根据权利要求4所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述MOS管M1的型号为2N7002、2SK1658、2SK3018、2SK3019中的一种。

7.根据权利要求4所述的一种编程器高速IO与高压电路并存的电路，其特征在于，所述三极管QC1和三极管QP1为PNP三极管，三极管QN1为NPN三极管。