[实用新型]一种高互调耦合结构有效
申请号: | 202020353696.7 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN211295342U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 徐建明;金瑶;周路顺;张扬扬 | 申请(专利权)人: | 杭州力为科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/12 | 分类号: | H01P5/12 |
代理公司: | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 张瑜 |
地址: | 311402 浙江省杭州市富阳区银湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高互调 耦合 结构 | ||
1.一种高互调耦合结构,包括耦合器外壳体(1)、耦合器内壳体(2)、主耦合棒(5)、副耦合棒(14)以及盖板(15),其特征在于:所述耦合器外壳体(1)一侧固定安装有第一射频连接接口(3),所述耦合器外壳体(1)另一侧固定安装有第三射频连接接口(10),所述耦合器外壳体(1)底部固定安装有第二射频连接接口(4),所述耦合器外壳体(1)开口端侧壁上开设有凹槽(12),所述凹槽(12)内设有多组螺纹安装孔(13),所述耦合器外壳体(1)开口端设有盖板(15),所述盖板(15)内侧安装有密封条(16),所述盖板(15)与密封条(16)上开设有多组螺栓过孔(17),所述盖板(15)与耦合器外壳体(1)通过螺栓固定连接,所述耦合器外壳体(1)内部底端安装有耦合器内壳体(2),所述耦合器内壳体(2)内壁顶端和底端均设有多组固定卡槽(6),所述第一射频连接接口(3)、第二射频连接接口(4)以及第三射频连接接口(10)一端延伸至耦合器内壳体(2)内部设有接线端子(9),所述耦合器内壳体(2)内部远离第二射频连接接口(4)的一侧底端设有负载电阻(8),所述负载电阻(8)上固定连接有主耦合棒(5),所述主耦合棒(5)一端与第二射频连接接口(4)上的接线端子(9)之间通过连接导线(11)相连接,所述主耦合棒(5)一侧设有副耦合棒(14),所述副耦合棒(14)两端与第一射频连接接口(3)上的接线端子(9)和第三射频连接接口(10)上的接线端子(9)之间均通过连接导线(11)相连接,所述副耦合棒(14)顶部安装有多组螺纹杆(18),所述螺纹杆(18)一端均穿过耦合器内壳体(2)的顶部套设有固定螺母(19),所述主耦合棒(5)和副耦合棒(14)两侧均设有多组压条(7)。
2.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述主耦合棒(5)、接线端子(9)以及副耦合棒(14)与连接导线(11)通过点焊机焊接。
3.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述压条(7)两端卡接在固定卡槽(6)内。
4.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述压条(7)采用聚四氟乙烯材料,所述螺纹杆(18)采用陶瓷材料。
5.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述主耦合棒(5)与副耦合棒(14)表面设有镀银层,且主耦合棒(5)与副耦合棒(14)之间留有间隙。
6.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述密封条(16)与凹槽(12)大小相等,所述螺纹安装孔(13)与螺栓过孔(17)位置一一对应。
7.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构,其特征在于:所述负载电阻(8)为大功率容量电阻。
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