[实用新型]一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路

权利要求书

1.一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，其特征在于：包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。

2.根据权利要求1所述的一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，其特征在于：所述漏源电压检测单元包括电阻Rcd1和Rcd2，电阻Rcd1的一端连接SiC MOSFET的漏极D，电阻Rcd1另一端连接Rcd2、电流检测选通单元以及信号调理单元，电阻Rcd2的另一端连接SiCMOSFET源极S。

3.根据权利要求2所述的一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，其特征在于：所述电流检测选通单元包括电阻Rcb1、电阻Rcb2和三极管Tc1，电阻Rcb1连接SiC MOSFET的栅极G以及SiC MOSFET驱动单元，电阻Rcb1另一端连接电阻Rcb2以及三极管Tc1的基极b；电阻Rcb2的另一端连接参考地GND0；三极管Tc1为PNP型三极管，三极管Tc1的发射极e连接着电阻Rcd1、电阻Rcd2以及信号调理单元，三极管Tc1的基极b连接着电阻Rcb1与电阻Rcb2，三极管Tc1的集电极c连接着参考地GND0。

4.根据权利要求3所述的一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，其特征在于：所述电阻Rcd1另一端连接信号调理单元的Rc1。

5.根据权利要求3所述的一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，其特征在于：所述信号调理单元包括电阻Rc1，电阻Rc1的一端连接三极管Tc1的发射极e，电阻Rc1的另一端连接着电容C1以及线性光耦U1A的输入侧第二端口+Vin，电容C1的另一端连接线性光耦U1A的输入侧第三端口-Vin和第四端口，线性光耦U1A输入侧第一端口连接外部供电电源Vcc1，线性光耦U1A的输入侧第四端口连接GND0；线性光耦U1A的输出侧第一端口连接外部供电电源Vcc2，线性光耦U1A的输出侧第二端口+Vout连接电阻Rc2，线性光耦U1A的输出侧第三端口-Vout连接电阻Rc3，线性光耦U1A的输出侧第四端口为信号调理单元输出参考地GND；电阻Rc2的另一端连接电阻Rc4以及运算放大器U2A的反相输入端，电阻Rc3的另一端连接着电阻Rc5以及运算放大器U2A的同相输入端，电阻Rc5的另一端连接GND；运算放大器U2A的输出端连接着电阻Rc4的另一端以及电阻Rc6；电阻Rc6的另一端连接电阻Rc8以及运算放大器U2B的反相输入端，电阻Rc7一端连接GND，另一端连接运算放大器U2B的同相输入端，运算放大器U2B的输出端同时连接电阻Rc8的另一端、二极管D1的阳极、二极管D2的阴极和DSP控制器单元的A/D口；二极管D1的阴极连接外部电源Vcc3，二极管D2的阳极连接GND。