[实用新型]一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路

说明书

本实用新型公开了一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本实用新型通过SiCMOSFET的漏源电压就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，将该电流可直接用于电力变换器的控制系统中，降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。

技术领域

本实用新型属于电力电子应用技术领域，涉及一种无传感器的SIC MOSFET电流检测电路。

背景技术

SiC MOSFET因耐高压和高温、开关速度快、通态损耗小等优异特性，在未来智能电网电力变换器领域展现出巨大的应用潜力。目前电力变换器所使用的SiC MOSFET漏极电流检测主要是通过霍尔电流传感器实现的，以常用的三相两电平SiC MOSFET并网电力变换器拓扑为例，若要检测变换器上6个SiC MOSFET的电流，则需要配置6个霍尔电流传感器，常规的电力并网变换器控制还需要3个交流相电流及1个直流电流，那么共需10个霍尔电流传感器；而针对中压系统常用的三电平并网电力变换器拓扑，则共需要16个霍尔电流传感器。过多的电流传感器不仅会增加电力变换器的体积和成本，同时也会增加电力变换器主回路的杂散电感等，危及电力变换器的安全工作及稳定运行，也不利于电力变换器功率密度的提升。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种无传感器的SiCMOSFET电流检测电路，该电路通过SiC MOSFET的漏源电压就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，为各种电力变换器的数字控制系统提供SIC MOSFET的实时电流。

本实用新型所采用的技术方案是，一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。

本实用新型的特点还在于，

漏源电压检测单元包括电阻Rcd1和Rcd2，电阻Rcd1的一端连接SiC MOSFET的漏极D，电阻Rcd1另一端连接Rcd2、电流检测选通单元以及信号调理单元，电阻Rcd2的另一端连接SiC MOSFET源极S。

电流检测选通单元包括电阻Rcb1、电阻Rcb2和三极管Tc1，电阻Rcb1连接SiCMOSFET的栅极G以及SiC MOSFET驱动单元，电阻Rcb1另一端连接电阻Rcb2以及三极管Tc1的基极b；电阻Rcb2的另一端连接参考地GND0；三极管Tc1为PNP型三极管，三极管Tc1的发射极e连接着电阻Rcd1、电阻Rcd2以及信号调理单元，三极管Tc1的基极b连接着电阻Rcb1与电阻Rcb2，三极管Tc1的集电极c连接着参考地GND0。

电阻Rcd1另一端连接信号调理单元的Rc1。