[实用新型]一种H面魔T波导功率合成器

权利要求书

1.一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构(21)，其特征在于，还包括合成器上腔(1)和合成器下腔(2)，所述阻抗变换结构(21)配置于所述合成器下腔(2)，所述合成器上腔(1)与所述合成器下腔(2)构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。

2.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阻抗变换结构(21)与合成器下腔(2)一体成型。

3.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阻抗变换结构(21)包括阶梯过渡结构和阻抗匹配圆轴，所述阻抗匹配圆轴配置于所述阶梯过渡结构的最高台阶，所述阻抗匹配圆轴与所述阶梯过渡结构一体成型。

4.根据权利要求3所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述阶梯过渡结构配置为五阶阶梯过渡结构。

5.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述波导端口包括第一波导端口(31)、第二波导端口(32)、第三波导端口(33)、第四波导端口(34)，所述第一波导端口(31)、所述第二波导端口(32)及所述第三波导端口(33)依次配置于所述T型波导结构的各个端部，所述第四波导端口(34)配置于T型波导结构交叉点处。

6.根据权利要求5所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述第四波导端口(34)正对阻抗匹配圆轴。

7.根据权利要求1所述的H面魔T波导功率合成器，其特征在于，所述合成器上腔(1)与所述合成器下腔(2)配置为金属材质腔体。