[实用新型]一种H面魔T波导功率合成器

说明书

本实用新型公开了一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构，还包括合成器上腔和合成器下腔，所述阻抗变换结构配置于所述合成器下腔，所述合成器上腔与所述合成器下腔构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。本实用新型能降低加工难度和加工成本，使加工精度容易得到保证。

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种H面魔T波导功率合成器。

背景技术

目前，卫星通信正在向Ka等更高的通信频段发展，通信容量越来越大，因而所需要的微波毫米波信道设备的功率越来越大，但是在毫米波频段单个固态功率放大器芯片的输出功率有限，因而在Ka等更高的通信频段固态功率放大器均采用功率合成的方式。

现有已公开的专利名称为“一种新型魔T功率分配/合成器”、公告号为CN202797235U的中国实用新型专利，该专利包括魔T功率分配/合成器的本体，在本体内设置有用于微波传输的公共通道和用于微波传输的两个支路，所述的公共通道与两个支路进行连通并为T型，在公共通道与两个支路交汇处的正上方的本体内设置有波导吸收通道，两个支路的腔体分别为由内至外为多阶梯段过渡的阶梯阻抗变换器结构，在公共通道与两个支路交汇处且与公共通道正对位置的本体上设置有用于调节匹配的调谐螺钉。

但是，由于频段越高，对应的功率分配/合成器体积越小，上述专利公开的用于Ka频段的魔T功率分配/合成器技术方案本身体积比较小，该魔T功率分配/合成器的本体又是一个整体成型的结构，还需在本体中加工出阶梯阶梯阻抗变换器结构和调谐螺钉，导致加工难度高，加工精度难以保证，加工成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的包括提供一种H面魔T波导功率合成器，其能够解决上述现有技术中，由于频段越高，对应的功率分配/合成器体积越小，上述专利公开的用于Ka频段的魔T功率分配/合成器技术方案本身体积比较小，该魔T功率分配/合成器的本体又是一个整体成型的结构，还需在本体中加工出阶梯阶梯阻抗变换器结构和调谐螺钉，导致加工难度高，加工精度难以保证，加工成本高的问题，实现降低加工难度和加工成本，使加工精度容易得到保证的目的。

本实用新型的实施例通过以下技术方案实现：

一种H面魔T波导功率合成器，包括阻抗变换结构，还包括合成器上腔和合成器下腔，所述阻抗变换结构配置于所述合成器下腔，所述合成器上腔与所述合成器下腔构成T型波导结构，所述T型波导结构配置有用于信号输入/输出的波导端口。

在其中一个实施例中，所述阻抗变换结构与合成器下腔一体成型。

在其中一个实施例中，所述阻抗变换结构包括阶梯过渡结构和阻抗匹配圆轴，所述阻抗匹配圆轴配置于所述阶梯过渡结构的最高台阶，所述阻抗匹配圆轴与所述阶梯过渡结构一体成型。

在其中一个实施例中，所述阶梯过渡结构配置为五阶阶梯过渡结构。

在其中一个实施例中，所述波导端口包括第一波导端口、第二波导端口、第三波导端口、第四波导端口，所述第一波导端口、所述第二波导端口及所述第三波导端口依次配置于所述T型波导结构的各个端部，所述第四波导端口配置于T型波导结构交叉点处。

在其中一个实施例中，所述第四波导端口正对阻抗匹配圆轴。

在其中一个实施例中，所述合成器上腔与所述合成器下腔配置为金属材质腔体。

本实用新型实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

本实用新型实施例将H面魔T波导功率合成器配置由合成器上腔、合成器下腔拼合而成，而且将阻抗变换结构配置于合成器下腔，由于用于Ka频段的H面魔T波导功率合成器体积较小，采用分体式结构，将H面魔T波导功率合成器内部结构整体成型转换为分别加工合成器上腔、合成器下腔即可，大大降低加工难度和加工成本，便于刀具进刀和走刀，使加工精度容易得到保证。