[实用新型]一种功率半导体引线框架加热机用框架滑动机构有效
申请号: | 202020362351.8 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN211295057U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 宋岩 | 申请(专利权)人: | 大连泰一半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116600 辽宁省大连市经*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 引线 框架 热机 滑动 机构 | ||
本实用新型公开了一种功率半导体引线框架加热机用框架滑动机构,具体涉及功率半导体引线框架自动上片摆片加热机领域,包括框架驱动平台、框架滑动平台和框架拖动机构,所述框架驱动平台的上固定安装有伺服驱动电机,所述伺服驱动电机的输出端连接有传动丝杆,所述传动丝杆上滑动设置有框架拖动机构驱动块,所述框架拖动机构包括有框架拖动杆,所述框架拖动杆的一侧设置有框架拖动针,所述框架拖动杆的上端固定设置有框架拖动杆驱动气缸。本实用新型可安装多种型号的框架滑动滑道、框架拖动杆和框架拖动针,用来制作其它型号的引线框架,摆脱了的以往设备使用的单一性,更有助于实现设备一机多用,提高了设备的兼容性与利用率。
技术领域
本实用新型涉及功率半导体引线框架自动上片摆片加热机技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种功率半导体引线框架加热机用框架滑动机构。
背景技术
功率半导体器件是电力电子应用产品的基础,也是构成电力电子变化装置的核心器件,主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等,具有应用范围广,用量大等特点。近年来,受益于国际电子制造产业的转移,以及下游计算机、通信、消费类电子等需求的拉动,我国电力电子产品,尤其是新型电力电子器件如IGBT、MOSFET、FRED等功率半导体器件保持了较快的发展态势。
近年来,万物互联的呼声越来越高,以汽车、高铁为代表的交通工具,以光伏、风电为代表的新能源领域,以手机为代表的通信设备,以电视机、洗衣机、空调、冰箱为代表的消费级产品,都在不断提高电子化水平,其中又以新能源汽车的高度电子化最为引人注目;与此同时,工业、电网等传统行业也在加速电子化进程。
几乎全行业的电子化发展,势必大大增加了对功率半导体器件的需求。目前全球的功率半导体器件主要由欧洲、美国、日本三个国家和地区提供,他们凭借先进的技术和生产制造工艺,以及领先的品质管理体系,大约占据了全球70%的市场份额。而在需求端,全球约有39%的功率半导体器件产能被中国大陆所消耗,是全球最大的需求大国,但其自给率却仅有10%,严重依赖进口。另外,当下中国大陆正寻求转型,要将“中国制造”提升为“中国智造”,许多新技术、新应用都走在了全球前列,如新能源汽车、风力发电等;中国大陆还利用人工智能技术对传统产业进行智能化升级。未来,中国大陆对功率半导体器件的需求将会越来越大;供需矛盾或将继续被拉大。随着国内功率半导体器件行业技术水平的提高和产业升级,实现高档产品替代进口将为国内功率半导体器件产业创造巨大的发展空间。
目前欧美日牢牢掌控并领导着全球功率半导体器件技术与市场的走向。而我国无论技术还是产能更是落后,与之相对应的是,作为世界工厂,其需求却领衔全球,呈现出巨大的供需缺口,功率半导体器件制造设备主要依赖进口来满足。本土设备供应商并不能提供所需的所有设备,部分设备的技术水平距离国际先进水平还有不少差距,如国产设备芯片焊接空洞率高达20%-50%,而德国的真空焊接机可将空洞率控制低于1%。即便可以通过国际采购也只能解决部分问题,不少设备很难采购得到,往往需要付出高昂代价,如薄片加工设备;更有甚者,部分设备被禁止进口,如日本的表面喷砂设备等。
目前我国现有的功率半导体器件滑动装置具有单一性,只能制作一种型号的引线框架,而且功能单一。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供一种功率半导体引线框架加热机用框架滑动机构,本实用新型所要解决的技术问题是:如何提高功率半导体引线框架滑动机构的实用性和功能性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造