[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外围；

多条字线，掩埋在所述衬底中，以及所述字线形成在所述记忆体区中并延伸至所述周边区中，以使所述字线的端部位于所述周边区中；

介质堆叠层，形成在所述衬底的顶表面上，以及所述介质堆叠层包括至少三层介质层，所述至少三层介质层中具有拉应力介质层和压应力介质层；以及，

接触插塞，形成在所述周边区中，以及所述接触插塞贯穿所述介质堆叠层并延伸至所述衬底中以电性连接至所述字线的端部。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质堆叠层中排布在最底部的介质层包括由下至上依次层叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层；

其中，所述第一介质层和所述第三介质层均为压应力介质层，所述第二介质层为拉应力介质层；或者，所述第一介质层和所述第三介质层均为拉应力介质层，所述第二介质层为压应力介质层。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质堆叠层中由下至上依次包括底部堆叠层、第四介质层、第五介质层和第六介质层，其中所述第四介质层、所述第五介质层和所述第六介质层的厚度依次增加。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第四介质层和所述第五介质层的厚度之和大于等于所述第六介质层的厚度。

5.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述底部堆叠层包括由下至上依次层叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。

6.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述底部堆叠层和所述第四介质层之间、所述第四介质层和所述第五介质层之间、以及所述第五介质层和所述第六介质层之间均具有界面生成物。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线具有相对的第一端部和第二端部，所述字线的第一端部和第二端部分别位于所述记忆体区相对两侧的周边区中；

以及，相邻的两条所述字线中，与其中一条字线连接的接触插塞形成在第一端部，与另一条字线连接的接触插塞形成在第二端部上。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器具有M条字线，M为大于1的正整数；

其中，连接第N条字线的接触插塞形成在字线的第二端部上，连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞均形成在字线的第一端部上，并且连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞在字线的排布方向上相互错开，N为大于1且小于M的正整数。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线形成在所述衬底的字线沟槽中，并且所述字线的顶部低于所述字线沟槽的顶部；

以及，所述存储器还包括遮蔽层，所述遮蔽层填充在所述字线沟槽高于所述字线的上方空间中，所述接触插塞的还贯穿所述遮蔽层以延伸至所述字线。