[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相应的提高了接触插塞和字线之间的连接性能。并且，本实用新型还使形成在衬底上的介质层呈现为具有多层膜层的堆叠层，从而有利于降低所构成的介质堆叠层的应力。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器(例如，动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory) 通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还具有多条字线，每一字线分别与相应的存储单元电性连接，以对各个存储单元施加相应的信号。

其中，针对每一字线而言，通常需要对应形成接触插塞，以实现对各个字线的电性引出。具体的，形成在一层间介质层中的接触插塞，其底部与字线连接，所述接触插塞的顶部延伸出层间介质层，以用于与外部信号连接。目前，所述层间介质层的厚度一般较厚而具有较大的内应力，从而会对衬底也相应的施加较大的应力，极易使整个半导体结构发生弯曲。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，不仅可以增加连接字线的接触插塞的工艺窗口，并且还可以有效缓解衬底顶表面上的介质层的内应力。

本实用新型的目的在于提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底具有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外围；

多条字线，掩埋在所述衬底中，以及所述字线形成在所述记忆体区中并延伸至所述周边区中，以使所述字线的端部位于所述周边区中；

介质堆叠层，形成在所述衬底的顶表面上，以及所述介质堆叠层包括至少三层介质层，所述至少三层介质层中具有拉应力介质层和压应力介质层；以及，

接触插塞，形成在所述周边区中，以及所述接触插塞贯穿所述介质堆叠层并延伸至所述衬底中以电性连接至所述字线的端部。

可选的，所述介质堆叠层中排布在最底部的介质层包括由下至上依次层叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层；其中，所述第一介质层和所述第三介质层均为压应力介质层，所述第二介质层为拉应力介质层；或者，所述第一介质层和所述第三介质层均为拉应力介质层，所述第二介质层为压应力介质层。

可选的，所述介质堆叠层中由下至上依次包括底部堆叠层、第四介质层、第五介质层和第六介质层，其中所述第四介质层、所述第五介质层和所述第六介质层的厚度依次增加。

可选的，所述第四介质层和所述第五介质层的厚度之和大于等于所述第六介质层的厚度。

可选的，所述底部堆叠层包括由下至上依次层叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。

可选的，所述字线具有相对的第一端部和第二端部，所述字线的第一端部和第二端部分别位于所述记忆体区相对两侧的周边区中；以及，相邻的两条所述字线中，与其中一条字线连接的接触插塞形成在第一端部，与另一条字线连接的接触插塞形成在第二端部上。

可选的，所述存储器具有M条字线，M为大于1的正整数；其中，连接第N条字线的接触插塞形成在字线的第二端部上，连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞均形成在字线的第一端部上，并且连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞在字线的排布方向上相互错开，N为大于1且小于M的正整数。

可选的，所述字线形成在所述衬底的字线沟槽中，并且所述字线的顶部低于所述字线沟槽的顶部；以及，所述存储器还包括遮蔽层，所述遮蔽层填充在所述字线沟槽高于所述字线的上方空间中，所述接触插塞的还贯穿所述遮蔽层以延伸至所述字线。