[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外围；

多条字线，掩埋在所述衬底中，以及所述字线形成在所述记忆体区中并延伸至所述周边区中，以使所述字线的端部位于所述周边区中；

接触插塞，形成在所述周边区中，并延伸至所述衬底中以电性连接至所述字线的端部，以及所述接触插塞覆盖所述字线的顶表面，且还延伸覆盖所述字线的至少一侧壁。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线具有在宽度方向上相对的两个侧壁，所述接触插塞延伸覆盖所述两个侧壁中的至少一个侧壁。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述相对的两个侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述接触插塞覆盖所述第一侧壁的面积大于所述接触插塞覆盖所述第二侧壁的面积。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述接触插塞具有覆盖所述第一侧壁的第一接触部和覆盖所述第二侧壁的第二接触部，所述第一接触部的底部位置低于所述第二接触部的底部位置。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述接触插塞包括金属硅化物层和第一导电层，所述金属硅化物层覆盖所述字线的顶表面并延伸覆盖所述字线的侧壁，所述第一导电层覆盖所述金属硅化物层，以使所述第一导电层和所述字线之间间隔有所述金属硅化物层。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线具有相对的第一端部和第二端部，所述字线的第一端部和第二端部分别位于所述记忆体区相对两侧的周边区中；

以及，相邻的两条所述字线中，与其中一条字线连接的接触插塞形成在第一端部，与另一条字线连接的接触插塞形成在第二端部上。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储器具有M条字线，M为大于1的正整数；

其中，连接第N条字线的接触插塞形成在字线的第二端部上，连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞均形成在字线的第一端部上，并且连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞在字线的排布方向上相互错开，N为大于1且小于M的正整数。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述周边区的衬底上还形成有介质层，所述接触插塞贯穿所述介质层以延伸至所述衬底中。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线形成在所述衬底的字线沟槽中，并且所述字线的顶部低于所述字线沟槽的顶部；

以及，所述存储器还包括遮蔽层，所述遮蔽层填充在所述字线沟槽高于所述字线的上方空间中，所述接触插塞的还贯穿所述遮蔽层以延伸至所述字线。