[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，此时还有利于进一步实现接触插塞不仅能够与字线的顶表面连接，还可以与字线的侧壁连接，大大增加接触插塞和字线之间的接触面积。即，本实用新型提供的存储器，不仅有利于降低接触插塞的制备难度，还可以提高接触插塞和字线之间的连接性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器(例如，动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory) 通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还具有多条字线，每一字线分别与相应的存储单元电性连接，以对各个存储单元施加相应的信号。

针对每一字线而言，通常还需要对应形成接触插塞，以实现对各个字线的电性引出。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩减，以及集成电路的排布密集程度的不断提升，接触插塞的尺寸也随之缩减，此时，不仅使得接触插塞的制备难度增大，并且还会导致接触插塞和字线之间的连接性能难以保障。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以改善连接字线的接触插塞的工艺窗口，提高接触插塞与字线之间的连接性能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底具有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外围；

多条字线，掩埋在所述衬底中，以及所述字线形成在所述记忆体区中并延伸至所述周边区中，以使所述字线的端部位于所述周边区中；

接触插塞，形成在所述周边区中，并延伸至所述衬底中以电性连接至所述字线的端部，以及所述接触插塞覆盖所述字线的顶表面，且还延伸覆盖所述字线的至少一侧壁。

可选的，所述字线具有在宽度方向上相对的两个侧壁，所述接触插塞延伸覆盖所述两个侧壁中的至少一个侧壁。

可选的，所述相对的两个侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述接触插塞覆盖所述第一侧壁的面积大于所述接触插塞覆盖所述第二侧壁的面积。

可选的，所述接触插塞具有覆盖所述第一侧壁的第一接触部和覆盖所述第二侧壁的第二接触部，所述第一接触部的底部位置低于所述第二接触部的底部位置。

可选的，所述接触插塞包括金属硅化物层和第一导电层，所述金属硅化物层覆盖所述字线的顶表面并延伸覆盖所述字线的侧壁，所述第一导电层覆盖所述金属硅化物层，以使所述第一导电层和所述字线之间间隔有所述金属硅化物层。

可选的，所述字线具有相对的第一端部和第二端部，所述字线的第一端部和第二端部分别位于所述记忆体区相对两侧的周边区中；以及，相邻的两条所述字线中，与其中一条字线连接的接触插塞形成在第一端部，与另一条字线连接的接触插塞形成在第二端部上。

可选的，所述存储器具有M条字线，M为大于1的正整数；其中，连接第N条字线的接触插塞形成在字线的第二端部上，连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞均形成在字线的第一端部上，并且连接第N-1条字线的接触插塞和连接第N+1条字线的接触插塞在字线的排布方向上相互错开，N为大于1且小于M的正整数。

可选的，所述周边区的衬底上还形成有介质层，所述接触插塞贯穿所述介质层以延伸至所述衬底中。

可选的，所述字线形成在所述衬底的字线沟槽中，并且所述字线的顶部低于所述字线沟槽的顶部；以及，所述存储器还包括遮蔽层，所述遮蔽层填充在所述字线沟槽高于所述字线的上方空间中，所述接触插塞的还贯穿所述遮蔽层以延伸至所述字线。