[实用新型]一种晶圆移送装置及半导体生产线有效
申请号: | 202020427083.3 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN211350605U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 柳相元;朴大正;权起大 | 申请(专利权)人: | 合肥欣奕华智能机器有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B08B5/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 赵凯莉 |
地址: | 230013 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 移送 装置 半导体 生产线 | ||
1.一种晶圆移送装置,其特征在于,包括:装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构;
所述送风结构设置于所述装置架的顶部,所述排气结构设置于所述装置架的底部,所述送风结构与所述排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道;
所述气帘结构设置于所述移送通道上以在所述晶圆通过时收集所述晶圆表面的残留气体并将所述残留气体输送到所述排气结构。
2.根据权利要求1所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述气帘结构包括环形框架、供气组件、排气组件以及用于控制所述供气组件和所述排气组件的控制箱;
所述环形框架设置于所述移送通道且与所述晶圆的移送方向垂直以使所述晶圆穿过所述环形框架,所述环形框架的内侧形成有开口槽;
所述环形框架上设置有与所述供气组件相连通的喷嘴,用于在所述晶圆穿过所述环形框架时向所述晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以驱使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽内;
所述环形框架上还设置有与所述排气组件连通的排气口,所述排气口与所述开口槽连通,所述排气组件与所述排气结构连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述喷嘴包括上下对称设置于所述环形框架的两个第一喷嘴组以及左右对称设置于所述环形框架的两个第二喷嘴组;
两个所述第一喷嘴组的喷气方向朝向所述开口槽,用于向穿过所述环形框架的晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽;
两个所述第二喷嘴组的喷气方向垂直于所述晶圆的移送方向,用于形成气帘墙。
4.根据权利要求3所述的晶圆移送装置,其特征在于,每个所述第一喷嘴组包括与所述供气组件连通的第一进气口以及第一喷嘴,所述第一喷嘴具有垂直于所述晶圆移送方向的长条形喷气口;
每个所述第二喷嘴组包括与所述供气组件连通第二进气口以及第二喷嘴,所述第二喷嘴具有垂直于所述晶圆移送方向的长条形喷气口。
5.根据权利要求2所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述排气组件包括排气泵以及排气管道;
所述排气管道的一端连通所述排气口,另一端连通所述排气泵;所述排气泵与所述排气结构连通。
6.根据权利要求2所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述供气组件包括设置于所述控制箱内的气体输送器以及连通所述喷嘴与所述气体输送器的供气管道;
所述控制箱上设置有与所述气体输送器连通的第一供气口。
7.根据权利要求6所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述供气组件还包括加热器,所述加热器设置于所述供气管道上。
8.根据权利要求7所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述供气组件还包括过滤器,所述过滤器设置于所述加热器与所述喷嘴之间的所述供气管道上。
9.根据权利要求1所述的晶圆移送装置,其特征在于,所述排气结构包括收集箱以及底座;
所述收集箱形成有用于进气的进气栅网以及用于排出气体的第一排气管;
所述底座上形成有与外部排气装置连通的第二排气管,所述第二排气管通过第一收集口与所述第一排气管连通并通过第二收集口与所述气帘结构连通。
10.一种半导体生产线,其特征在于,包括真空装置以及如权利要求1-9中任一项所述的晶圆移送装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造