[实用新型]一种晶圆移送装置及半导体生产线

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆移送装置及半导体生产线。该晶圆移送装置包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；送风结构与排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；气帘结构设置于移送通道上以在晶圆通过时收集晶圆表面的残留气体并将残留气体输送到排气结构。该晶圆移送装置通过送风结构、排气结构在装置架内形成排气的大环境，通过气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的残留气体并将残留气体收集输送到排气结构排出，同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆移送装置及半导体生产线。

背景技术

半导体制造工艺中，晶圆需要在晶圆移送装置、真空装置以及工艺装置之间进行移送，若晶圆在上一工艺过程中接触了工艺气体，晶圆表面常常会残留上一工艺的工艺气体，而晶圆移送装置处于大气环境，这些工艺气体和大气里包含的氧气或水分发生反应可能产生氧化物，导致晶圆图案不良或装置内部被污染，更为严重的，若残余的工艺气体和水分发生反应形成腐蚀物质，则可能使晶圆图案腐蚀甚至装置内部部件腐蚀，缩短装置的使用寿命，降低半导体生产率。

目前的晶圆移送装置的排气只能通过晶圆移送装置上方的送风部以及装置下方的排气部调节排气压力，排气速度不够迅速，不能灵活调节排气压力进行主动排气，晶圆表面残留的有害气体依旧存在损害装置结构的可能。如果采用安装自上而下喷射惰性气体的喷嘴以去除晶圆表面的残余气体或采用惰性环境的晶圆移送装置，则需要花费大量财力维护相关设备，存在成本较高的问题。

实用新型内容

本实用新型公开了一种晶圆移送装置及半导体生产线，用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，以抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种晶圆移送装置，包括：装置架、送风结构、气帘结构以及排气结构；所述送风结构设置于所述装置架的顶部，所述排气结构设置于所述装置架的底部，所述送风结构与所述排气结构之间形成用于移送晶圆的移送通道；

所述气帘结构设置于所述移送通道上以在所述晶圆通过时收集所述晶圆表面的残留气体并将所述残留气体输送到所述排气结构。上述晶圆移送装置通过气帘结构将晶圆表面的残留气体去除并收集输送到排气结构；而装置架顶部的送风结构配合装置架底部的排气结构能够形成自上而下的气流以将装置架内可能存在的残留气体输送到排气结构，最后排气结构将所有的残留气体排出到外部。可以看出，本实用新型提供的晶圆移送装置通过送风结构、排气结构在装置架内形成排气的大环境，通过气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的残留气体并将残留气体收集输送到排气结构排出，同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害，延长设备的使用寿命，提高产品合格率。

可选地，所述气帘结构包括环形框架、供气组件、排气组件以及用于控制所述供气组件和所述排气组件的控制箱；

所述环形框架设置于所述移送通道且与所述晶圆的移送方向垂直以使所述晶圆穿过所述环形框架，所述环形框架的内形成有开口朝向所述开口槽；

所述环形框架上设置有与所述供气组件相连通的喷嘴，用于在所述晶圆穿过所述环形框架时向所述晶圆喷洒惰性气体或压缩气体以驱使所述晶圆表面的残留气体落入所述开口槽内；

所述环形框架上还设置有与所述排气组件连通的排气口，所述排气口与所述开口槽连通，所述排气组件与所述排气结构连通。

可选地，所述供气组件包括设置于所述控制箱内的气体输送器以及连通所述喷嘴与所述气体输送器的供气管道；

所述控制箱上设置有与所述气体输送器连通的供气口。

可选地，所述供气组件还包括加热器，所述加热器设置于所述供气管道上。