[实用新型]镀膜设备有效

专利信息
申请号: 202020430990.3 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN212199400U 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 林育正;陈麒麟 申请(专利权)人: 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 张建珍
地址: 518118 广东省深圳市坪山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种镀膜设备,包括真空腔体、离子镀膜源、导电部和保持部;离子镀膜源设于真空腔体内,设置为提供离子化的成膜粒子;导电部设于真空腔体内且与离子镀膜源相对设置,设置为在镀膜过程被施加相反于成膜粒子的电性的偏压,以吸引成膜粒子朝导电部方向移动;保持部用于承载基材,以将基材置于离子镀膜源和导电部之间,并使基材的待镀膜表面和离子镀膜源相对。本实用新型镀膜设备能够有效沉积镀膜,减少材料浪费。

技术领域

本实用新型涉及薄膜制备技术领域,尤其是涉及一种镀膜设备。

背景技术

薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节,传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积(PVD)工艺和化学气相沉积(CVD)工艺。其中,物理气相沉积技术因其工艺过程简单,对环境友善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体结合力强等优势,在航天航空、电子、光学、机械、建筑、冶金、材料等领域受到广泛应用。

反应性等离子体沉积工艺属于一种阳极电弧热蒸气型的PVD工艺,由于该工艺过程会产生高温蒸气,因此基板与靶材之间需具有相当的距离,而这使得蒸气中的成膜粒子较易集中沉积在正对离子镀膜源的基板区域,基板上远离离子镀膜源的区域沉积薄膜较薄,造成镀膜厚度不均;此外,气态的离子化成膜粒子镀膜方向不易控制,部分成膜材料易镀膜于基板之外,无法有效沉积于基板表面,造成材料的浪费。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种镀膜设备,能够有效沉积镀膜,减少材料浪费。

第一方面,本实用新型的一个实施例提供了一种镀膜设备,包括:

真空腔体;

离子镀膜源,设于所述真空腔体内,设置为提供离子化的成膜粒子;

导电部,设于所述真空腔体内,与所述离子镀膜源相对设置;所述导电部设置为在镀膜过程中被施加相反于成膜粒子的电性的偏压,以吸引所述成膜粒子朝所述导电部方向移动;

保持部,用于承载基材,以将所述基材置于所述离子镀膜源和所述导电部之间,并使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。

本实用新型实施例的镀膜设备至少具有如下有益效果:该镀膜设备通过在离子镀膜源相对的一侧设置导电部,使用时将承载有基材的保持部置于离子镀膜源和导电部之间,通过启动离子镀膜源使靶材产生包含成膜粒子的离子化蒸气,并通过偏压电源向导电部施加相反于成膜粒子电性的偏压,以吸引成膜粒子朝导电部方向移动,而沉积在位于离子镀膜源和导电部之间的基材上待镀膜表面,一方面可避免成膜粒子四处飘移,另一方面成膜粒子向基材运动沉积过程没有其他物体拦截干扰,镀膜材料可有效沉积在基材上,从而可减少材料的浪费。

在一些实施例中,所述保持部上设有与所述基材的待镀膜表面适配的开孔,以使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。

在一些实施例中,所述保持部上设有至少两个开孔。

在一些实施例中,所述导电部的尺寸小于或等于所述保持部上开孔的尺寸。

在一些实施例中,所述导电部为至少两个,各所述导电部水平间隔设置。

在一些实施例中,还包括输送机构,所述输送机构用于将承载有基材的保持部输送至所述离子镀膜源和所述导电部之间以进行镀膜。

在一些实施例中,所述导电部沿所述输送机构的输送方向平行排布。

在一些实施例中,所述保持部固定设于所述离子镀膜源与所述导电部之间。

在一些实施例中,还包括偏压电源,所述偏压电源用于向所述导电部施加相反于所述成膜粒子的电性的偏压。

在一些实施例中,所述离子镀膜源为至少一个。

附图说明

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