[实用新型]阵列基板及液晶显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及液晶显示面板，阵列基板包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素区以及位于像素区内的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层、彩色滤光片色阻层、保护层和像素电极，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域；交叉设置的扫描线和数据线围设成所述像素区，所述像素电极覆盖在所述像素区的表面，所述数据线和所述衬底基板之间设置有所述栅极绝缘层，所述数据线的上方覆盖有所述彩色滤光片色阻层和所述保护层。本实用新型提供的阵列基板及液晶显示面板，可防止氧化硅保护层对金属铜造成氧化。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术提供的阵列基板的制造过程中，采用金属氧化物半导体层作为有源层，金属氧化物TFT(薄膜晶体管)特性对H敏感，甚至会使金属氧化物TFT失去特性，因此一般使用氧化硅而非氮化硅作为金属氧化物TFT的保护层。

然而，阵列基板经常采用金属铜作为源漏极金属层，在沉积含氧化硅的金属氧化物TFT的保护层时，金属铜暴露在氧等离子中，严重被氧化，甚至发生剥落。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及液晶显示面板，可防止保护层对源极、漏极及数据线的金属铜造成氧化。

本实用新型一方面提供一种阵列基板，包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素区以及位于像素区内的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层、彩色滤光片色阻层、保护层和像素电极，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域；

交叉设置的扫描线和数据线围设成所述像素区，所述像素电极覆盖在所述像素区的表面，所述数据线和所述衬底基板之间设置有所述栅极绝缘层，所述数据线的上方覆盖有所述彩色滤光片色阻层和所述保护层。

如上所述的阵列基板，所述源漏金属层和所述数据线均包括铜阻挡层和覆盖在所述铜阻挡层上的金属铜层。

如上所述的阵列基板，所述源漏金属层还包括覆盖在所述金属铜层上方的铜保护层。

如上所述的阵列基板，所述铜阻挡层包括铬、钨、钽、钼、或钛。

如上所述的阵列基板，所述铜阻挡层的厚度为所述金属铜层的1/20-1/10。

如上所述的阵列基板，所述栅极包括附着层和覆盖在所述附着层上的金属铜层。

如上所述的阵列基板，所述半导体层包括第一金属氧化物半导体层和覆盖在所述第一金属氧化物半导体层上方的第二金属氧化物半导体层，所述第一金属氧化物半导体层的导电率低于所述第二金属氧化物半导体层的导电率。

如上所述的阵列基板，所述保护层包括硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。

如上所述的阵列基板，位于所述漏极上方的所述保护层和所述彩色滤光片色阻层上开设有导电过孔，所述导电过孔用于连通所述像素电极和所述漏极。

本实用新型另一方面提供一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及夹持在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分子层。